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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6 |
| Reach Compliance Code： | compliant | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.67 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 120 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G6 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 元件数量： | 2 | 端子数量： | 6 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 极性/信道类型： | NPN AND PNP |
| 最大功率耗散 (Abs)： | 0.25 W | 认证状态： | Not Qualified |
| 子类别： | BIP General Purpose Small Signal | 表面贴装： | YES |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管应用： | SWITCHING |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 替代类型 | 描述 | 数据表 |
| PUMD6,115 | NXP |
功能相似  |
PEMD6; PUMD6 - NPN/PNP resistor-equipped transistors; R1 = 4.7 kOhm, R2 = open TSSOP 6-Pin |
|
| MUN5316DW1T1G | ONSEMI |
功能相似 |
Dual Bias Resistor Transistors |
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| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BCR1AM | POWEREX |
获取价格 |
Lead-Mount Triac 1 Ampere/400-600 Volts |
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| BCR1AM-12 | MITSUBISHI |
获取价格 |
LOW POWER USE GLASS PASSIVATION TYPE |
|
| BCR1AM-12 | POWEREX |
获取价格 |
Lead-Mount Triac 1 Ampere/400-600 Volts |
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| BCR1AM-12 | RENESAS |
获取价格 |
Triac Low Power Use |
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| BCR1AM-12 | APOLLOELECTRON |
获取价格 |
Sensitive Triac |
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| BCR1AM-12A | RENESAS |
获取价格 |
Triac Low Power Use |
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| BCR1AM-12A_10 | RENESAS |
获取价格 |
Triac Low Power Use |
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| BCR1AM-12-A6 | RENESAS |
获取价格 |
Triac Low Power Use |
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| BCR1AM-12A-A6 | RENESAS |
获取价格 |
Triac Low Power Use |
|
| BCR1AM-12A-TB | RENESAS |
获取价格 |
Triac Low Power Use |
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