BCR199T

更新时间： 2024-02-16 13:42:00

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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6页	176K
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PNP Silicon Digital Transistor

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BCR199T 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SC-75, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	5.84
其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR	最大集电极电流 (IC)：	0.07 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	120	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BCR199T 数据手册

BCR199...

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 47kΩ)

BCR199F/L3

BCR199T

R₁

EHA07180

Type

Marking

UBs

Pin Configuration

Package

BCR199F*

BCR199L3*

BCR199T*

1=B

2=E 3=C

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

UBs

* Preliminary

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Emitter-base voltage

Input on voltage

CEO

CBO

EBO

i(on)

Collector current

Total power dissipation-

tot

BCR199F, T ≤ 128°C

250

BCR199L3, T ≤ 135°C

BCR199T, T ≤ 109°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

Aug-29-2003

12 3 4 5 6

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