BCR196T

更新时间： 2024-01-29 16:57:21

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英飞凌 - INFINEON		晶体小信号双极晶体管开关光电二极管
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8页	197K
描述
PNP Silicon Digital Transistor

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BCR196T 技术参数

生命周期：	Transferred	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.48	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	PNP
功耗环境最大值：	0.25 W	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	150 MHz
VCEsat-Max：	0.3 V	Base Number Matches：	1

BCR196...

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 47kΩ , R = 22kΩ )

BCR196/F/L3

BCR196T/W

R₁

R₂

EHA07183

Type

BCR196

BCR196F

BCR196L3

BCR196T

BCR196W

Marking

WXs

Pin Configuration

Package

1=B

2=E 3=C

SOT23

TSFP-3

TSLP-3-4

SC75

SOT323

Aug-29-2003

12 3 4 5 6 7 8

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BCR196W	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir
BCR196W-E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCR196W-E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCR196WH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BCR198	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Digital Transistor (Switching circuit, inverter, interface circuit, driver cir
BCR198_09	INFINEON	获取价格	PNP Silicon Digital Transistor
BCR198B6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, ROHS CO
BCR198E6327	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BCR198E6393	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BCR198E6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon