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BCR196W-E6327

更新时间： 2024-02-19 08:03:08

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英飞凌 - INFINEON		开关光电二极管晶体管
页数	文件大小	规格书
10页	180K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.07A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

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BCR196W-E6327 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
风险等级：	5.59	其他特性：	BUILT-IN BIAS RESISTOR RATIO IS 0.468
最大集电极电流 (IC)：	0.07 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	50
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.25 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signal
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	150 MHz

BCR196W-E6327 数据手册

BCR196...

PNP Silicon Digital Transistor

• Switching circuit, inverter, interface circuit,

driver circuit

• Built in bias resistor (R = 47kΩ , R = 22kΩ )

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BCR196/F

BCR196W

R₁

R₂

EHA07183

Type

BCR196

BCR196F

BCR196W

Marking

Pin Configuration

Package

SOT23

TSFP-3

SOT323

WXs

1=B 2=E 3=C

¹Pb-containing package may be available upon special request

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Value

Unit

Collector-emitter voltage

Collector-base voltage

Input forward voltage

Input reverse voltage

Collector current

CEO

CBO

i(fwd)

i(rev)

Total power dissipation-

tot

BCR196, T ≤ 102°C

200

250

BCR196F, T ≤ 128°C

BCR196W, T ≤ 124°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

150 ... -65

stg

2007-07-24

12 3 4 5 6 7...10

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