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BC857CWE6327

更新时间: 2024-10-01 20:04:55
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英飞凌 - INFINEON 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
11页 856K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon

BC857CWE6327 技术参数

是否无铅:不含铅是否Rohs认证:符合
生命周期:Obsolete包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
风险等级:5.02Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:45 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):420
JESD-30 代码:R-PDSO-G3JESD-609代码:e3
湿度敏感等级:1元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
极性/信道类型:PNP最大功率耗散 (Abs):0.25 W
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子位置:DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间:40晶体管应用:SWITCHING
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):250 MHz
Base Number Matches:1

BC857CWE6327 数据手册

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BC857...-BC860...  
PNP Silicon AF Transistor  
For AF input stages and driver applications  
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
Low noise between 30 hz and 15 kHz  
Complementary types:  
BC847...-BC850... (NPN)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
1)  
Qualified according AEC Q101  
1
BC857BL3 is not qualified according AEC Q101  
Type  
BC857A  
BC857B  
BC857BL3*  
BC857BW  
BC857C  
BC857CW  
BC858A  
Marking  
3Es  
3Fs  
3F  
3Fs  
3Gs  
3Gs  
3Js  
Pin Configuration  
Package  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
1=B 2=E 3=C  
-
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SOT23  
SOT23  
TSLP-3-1  
SOT323  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT323  
SOT23  
SOT23  
SOT323  
SOT323  
BC858B  
3Ks  
3Ks  
3Ls  
BC858BW  
BC858C  
BC858CW  
BC859C  
BC860B  
3Ls  
4Cs  
4Fs  
4Fs  
4Gs  
BC860BW  
BC860CW  
* Not qualified according AEC Q101  
2011-09-19  
1

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型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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