BC857F

更新时间： 2024-01-09 18:14:20

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4页	280K
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General purpose application

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BC857F 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.55	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	PNP
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC857F 数据手册

BC857F

PNP Silicon Transistor

Descriptions

PIN Connection

• General purpose application

• Switching application

Features

• High voltage : V_CEO=-45V

• Complementary pair with BC847F

SOT-23F

Ordering Information

Type NO.

Marking

UA □ □

Package Code

BC857F

SOT-23F

①

② ③

①Device Code ②hFE Rank ③Year&Week Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-50

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-45

-5

-100

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CEO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Emitter breakdown voltage

Base -Emitter turn on voltage

Base -Emitter saturation voltage

Collector-Emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_C=-2mA, I_B=0

-45

-700

V_BE(ON)

V_BE(sat)

V_CE(sat)

I_CBO

V_CE=-5V, I_C=-2mA

I_C=-100mA, I_B=-5mA

V_CB=-35V, I_E= 0

-900

-650

-15

800

110

DC current gain

V_CE=-5V, I_C=-2mA

V_CB=-5V, I_C=-10mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

h_FE

Transition frequency

f_T

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

4.5

V_CE=-5V, I_C=-200μA,

f=1KHz,Rg=2KΩ

Noise Figure

* : h_FErank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800

KSD-T5C086-000

12 3 4

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