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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.21.00.75 | 风险等级： | 5.02 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 45 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 125 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e3 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 最高工作温度： | 150 °C | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | Not Qualified | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 150 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.65 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857RA | NEXPERIA |
获取价格 |
45 V, 100 mA PNP/PNP general-purpose double transistorsProduction |
|
| BC857RAZ | ETC |
获取价格 |
BC857RA/SOT1268/DFN1412-6 |
|
| BC857R-TAPE-13 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BC857R-TAPE-7 | NXP |
获取价格 |
TRANSISTOR 100 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
|
| BC857S | HTSEMI |
获取价格 |
Multi-Chip TRANSISTOR (PNP) |
|
| BC857S | INFINEON |
获取价格 |
PNP Silicon AF Transistor Array (For AF input stages and driver applications High current |
|
| BC857S | DIOTEC |
获取价格 |
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
|
| BC857S | SECOS |
获取价格 |
Multi-Chip Transistor |
|
| BC857S | MCC |
获取价格 |
PNP Plastic-Encapsulate Transistors 300mW |
|
| BC857S | ONSEMI |
获取价格 |
PNP 多芯片通用放大器 |
|
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