BC857S-A

更新时间： 2024-10-01 12:58:03

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英飞凌 - INFINEON		晶体晶体管
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8页	221K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon

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BC857S-A 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.31
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.2 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：	110	JESD-30 代码：	R-PDSO-G6
JESD-609代码：	e3	元件数量：	2
端子数量：	6	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	250 MHz
Base Number Matches：	1

BC857S-A 数据手册

BC856...BC860

PNP Silicon AF Transistors

For AF input stages and driver applications

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Low noise between 30 Hz and 15 kHz

Complementary types: BC846, BC847, BC848

BC849, BC850 (NPN)

VPS05161

Type

Marking

3As

3Bs

3Es

3Fs

3Gs

3Js

3Ks

3Ls

4As

4Bs

4Cs

4Fs

Pin Configuration

Package

SOT23

1 = B

2 = E

3 = C

BC856A

BC856B

BC857A

BC857B

BC857C

BC858A

BC858B

BC858C

BC859A

BC859B

BC859C

BC860B

BC860C

3 = C

4Gs

Dec-11-2001

12 3 4 5 6 7 8

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