5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > BC857S
BC857S PDF预览

BC857S

更新时间： 2024-10-02 14:54:31
品牌 Logo 应用领域
江苏长电/长晶 - CJ /
页数 文件大小 规格书
4页 1285K
描述
SOT-363

阅读下载

中文翻译

获取价格

BC857S 技术参数

生命周期：Contact Manufacturer包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.06
最大集电极电流 (IC)：0.1 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS最小直流电流增益 (hFE)：125
JESD-30 代码：R-PDSO-G6元件数量：2
端子数量：6最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.3 W子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL晶体管应用：AMPLIFIER
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：200 MHz
Base Number Matches：1

BC857S 数据手册

 浏览型号BC857S的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC857S的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC857S的Datasheet PDF文件第4页 
JIANGSU CHANGJING ELECTRONICS TECHNOLOGY CO., LTD  
SOT-363 Plastic-Encapsulate Transistors  
DUAL TRANSISTOR (PNP+PNP)  
Isolated Transistor and Diode  
BC857S  
SOT-363  
FEATURES  
z
z
z
Two transistors in one package  
Reduces number of components and board space  
No mutual interference between the transistors  
MARKING: 3C  
MAXIMUM RATINGS(Ta=25℃ unless otherwise noted)  
Symbol  
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Parameter  
Value  
Units  
V
Collector- Base Voltage  
-50  
Collector-Emitter Voltage  
-45  
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
V
Collector Current -Continuous  
Collector Power Dissipation  
Thermal Resistance from Junction to Ambient  
-0.2  
0.3  
A
PC  
W
Rθ  
417  
℃/W  
JA  
Operation Junction and  
Storage Temperature Range  
TJ,Tstg  
℃
-55~+150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS(Ta=25℃ unless otherwise specified)  
Parameter  
Symbol  
Test conditions  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
V
Collector-base breakdown voltage  
Collector-emitter breakdown voltage  
Emitter-base breakdown voltage  
Collector cut-off current  
V(BR)CBO Ic=-10µA,IE=0  
V(BR)CEO Ic=-10mA,IB=0  
V(BR)EBO IE=-10µA,IC=0  
-50  
-45  
-5  
V
V
ICBO  
hFE  
VCB=-30V,IE=0  
-15  
630  
nA  
DC current gain  
VCE=-5V,IC=-2mA  
125  
-0.6  
VCE(sat)(1) IC=-10mA,IB=-0.5mA  
VCE(sat)(2) IC=-100mA,IB=-5mA  
-0.3  
V
V
Collector-emitter saturation voltage  
Base-emitter voltage  
-0.65  
-0.75  
-0.82  
VBE(1)  
VBE(2)  
fT  
VCE=-5V,IC=-2mA  
V
VCE=-5V,IC=-10mA  
V
Transition frequency  
VCE=-5V,IC=-10mA,f=100MHz  
VCB=-10V,IE=0,f=1MHz  
200  
3.5  
MHz  
pF  
Collector output capacitance  
Cob  
VCE=-5V,Ic=-0.2mA,  
Noise figure  
NF  
2.5  
dB  
f=1kHZ,Rs=2KΩ,BW=200Hz  
www.jscj-elec.com  
1
Rev. - 2.0  
1234

中文翻译

下载PDF

与BC857S相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC857S(KC857S) KEXIN

获取价格

 		Dual PNP Transistor
BC857S-A INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
BC857SE6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon,
BC857SE6327 ROCHESTER

获取价格

 		100mA, 45V, 2 CHANNEL, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC857SE6433 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon
BC857SH6327XTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, GREEN,
BC857SH6433XTMA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, GREEN,
BC857SH6794 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, GREEN,
BC857SH6827XTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, PNP, Silicon, GREEN,
BC857SQ62702C2373 INFINEON

获取价格

 		TRANSISTOR SOT363

与BC857S相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证