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BC857FA

更新时间： 2024-01-09 11:38:35

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可天士 - KODENSHI		/
页数	文件大小	规格书
4页	279K
描述
TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR

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BC857FA 技术参数

生命周期：	Contact Manufacturer	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.61
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	配置：	Single
最小直流电流增益 (hFE)：	110	最高工作温度：	150 °C
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
Base Number Matches：	1

BC857FA 数据手册

BC857F

PNP Silicon Transistor

Descriptions

PIN Connection

• General purpose application

• Switching application

Features

• High voltage : V_CEO=-45V

• Complementary pair with BC847F

SOT-23F

Ordering Information

Type NO.

Marking

UA □ □

Package Code

BC857F

SOT-23F

①

② ③

①Device Code ②hFE Rank ③Year&Week Code

Absolute maximum ratings

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_C

Ratings

-50

Unit

Collector-Base voltage

Collector-Emitter voltage

Emitter-Base voltage

Collector current

-45

-5

-100

200

°C

Collector dissipation

Junction temperature

Storage temperature

P_C

T_j

150

T_stg

-55~150

°C

Electrical Characteristics

Characteristic

(Ta=25°C)

Symbol

BV_CEO

Test Condition

Min. Typ. Max. Unit

Collector-Emitter breakdown voltage

Base -Emitter turn on voltage

Base -Emitter saturation voltage

Collector-Emitter saturation voltage

Collector cut-off current

I_C=-2mA, I_B=0

-45

-700

V_BE(ON)

V_BE(sat)

V_CE(sat)

I_CBO

V_CE=-5V, I_C=-2mA

I_C=-100mA, I_B=-5mA

V_CB=-35V, I_E= 0

-900

-650

-15

800

110

DC current gain

V_CE=-5V, I_C=-2mA

V_CB=-5V, I_C=-10mA

V_CB=-10V, I_E=0, f=1MHz

h_FE

Transition frequency

f_T

150

MHz

Collector output capacitance

C_ob

4.5

V_CE=-5V, I_C=-200μA,

f=1KHz,Rg=2KΩ

Noise Figure

* : h_FErank / A : 110 ~ 220, B : 200 ~ 450, C : 420 ~ 800

KSD-T5C086-000

12 3 4

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC857FB	KODENSHI	获取价格	Transistor,
BC857FC	KODENSHI	获取价格	TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,100MA I(C),SOT-23VAR
BC857G	TI	获取价格	45V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
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BC857G-A-AL3-R	UTC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
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