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BC857DE

更新时间： 2023-12-06 20:01:25

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先科 - SWST		晶体管
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小信号晶体管

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BC857DE 数据手册

BC857DE

Dual PNP Silicon Epitaxial Planar Transistors

TR2

TR1

Applications

TR1: 1. Emitter 2. Base 6. Collector

TR2: 3. Collector 4. Emitter 5. Base

SOT-563 Plastic package

• For switching and amplifier applications

Absolute Maximum Ratings (T_a= 25

)

Parameter

Symbol

-V_CBO

-V_CEO

-V_EBO

-I_C

Value

Unit

Collector Base Voltage

Collector Emitter Voltage

Emitter Base Voltage

Collector Current

100

Power Dissipation

P_tot

150

- 55 to + 150

Operating and Storage Temperature Range

T_j, T_stg

Thermal Characteristics

Parameter

Symbol

R_θJA

Value

833

Unit

Thermal Resistance from Junction Ambient ¹⁾

¹⁾Device mounted on FR-4 substrate PC board, with minimum recommended pad layout.

1 / 5

Dated : 17/03/2023 Rev: 03

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