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| 是否无铅： | 不含铅 | 是否Rohs认证： | 符合 |
| 生命周期： | Active | Reach Compliance Code： | unknown |
| 风险等级： | 5 | 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A |
| 集电极-发射极最大电压： | 45 V | 配置： | SINGLE |
| 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 | JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 |
| JESD-609代码： | e3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 极性/信道类型： | PNP |
| 认证状态： | COMMERCIAL | 表面贴装： | YES |
| 端子面层： | MATTE TIN | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| 晶体管应用： | SWITCHING | 晶体管元件材料： | SILICON |
| 标称过渡频率 (fT)： | 250 MHz | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC857CWE6327HTSA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC857CWE6433 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
|
| BC857CWE6433HTMA1 | INFINEON |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon |
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| BC857CWG | LGE |
获取价格 |
PNP Silicon Epitaxial Planar Transistor |
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| BC857CW-G | COMCHIP |
获取价格 |
Small Signal Transistor |
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| BC857CWQ | DIODES |
获取价格 |
PNP, 45V, 0.1A, SOT323 |
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| BC857CWQ | YANGJIE |
获取价格 |
SOT-323 |
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| BC857CW-Q | NEXPERIA |
获取价格 |
65 V, 100 mA PNP general-purpose transistorsProduction |
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| BC857CWQ62702C2295 | ETC |
获取价格 |
TRANSISTOR SOT323 |
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| BC857CWR | CENTRAL |
获取价格 |
45V,100mA,275mW Surface mount Transistor-Small Signal (<=1A) PNP General Purpose Amplifier |
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