BC856ALT3

更新时间： 2024-02-01 23:05:40

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安森美 - ONSEMI		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
8页	112K
描述
General Purpose Transistors(PNP Silicon)

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BC856ALT3 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	End Of Life
零件包装代码：	SOT-23	包装说明：	HALOGEN FREE AND ROHS COMPLIANT, CASE 318-08, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.19	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	65 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	125
JEDEC-95代码：	TO-236AB	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-55 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.3 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC856ALT3 数据手册

BC856ALT1 Series

1.0

0.7

0.5

D = 0.5

0.2

0.3

0.2

SINGLE PULSE

0.05

(t) = r(t) R

0.1

0.07

0.05

= 83.3°C/W MAX

(t) = r(t) R

(pk)

SINGLE PULSE

qJA

= 200°C/W MAX

D CURVES APPLY FOR POWER

PULSE TRAIN SHOWN

READ TIME AT t

0.03

0.02

DUTY CYCLE, D = t /t

1 2

− T = P

R (t)

J(pk)

(pk)

0.01

0.1

0.2

0.5

1.0

2.0

5.0

100

200

500

1.0ꢁk

2.0ꢁk

5.0ꢁk 10ꢁk

t, TIME (ms)

Figure 13. Thermal Response

The safe operating area curves indicate I −V limits of

−200

1 s

3 ms

the transistor that must be observed for reliable operation.

Collector load lines for specific circuits must fall below the

limits indicated by the applicable curve.

−100

−50

T = 25°C

The data of Figure 14 is based upon T

= 150°C; T or

J(pk)

T is variable depending upon conditions. Pulse curves are

valid for duty cycles to 10% provided T

≤ 150°C. T

BC558, BC559

BC557

BC556

J(pk)

may be calculated from the data in Figure 13. At high case or

ambient temperatures, thermal limitations will reduce the

power that can be handled to values less than the limitations

imposed by the secondary breakdown.

−10

−5.0

BONDING WIRE LIMIT

THERMAL LIMIT

SECOND BREAKDOWN LIMIT

−2.0

−1.0

−5.0

−10

−30 −45 −65 −100

, COLLECTOR−EMITTER VOLTAGE (V)

Figure 14. Active Region Safe Operating Area

http://onsemi.com

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BC856AM	BL Galaxy Electrical	65V,0.1A,General Purpose PNP Bipolar Transistor	获取价格
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