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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC856AMTF
BC856AMTF PDF预览

BC856AMTF

更新时间： 2024-01-26 18:52:25
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
5页 150K
描述
PNP Epitaxial Silicon Transistor

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BC856AMTF 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Transferred
零件包装代码：SC-70包装说明：PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.04Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.1 A基于收集器的最大容量：5 pF
集电极-发射极最大电压：65 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：125JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.2 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.65 VBase Number Matches：1

BC856AMTF 数据手册

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August 2006  
BC856- BC860  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
tm  
Features  
•
•
•
•
Switching and Amplifier Applications  
Suitable for automatic insertion in thick and thin-film circuits  
Low Noise: BC859, BC860  
3
Complement to BC846 ... BC850  
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
Absolute Maximum Ratings* Ta = 25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
VCBO  
Collector-Base Voltage  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-80  
-50  
-30  
V
V
V
VCEO  
Collector-Emitter Voltage  
: BC856  
: BC857/860  
: BC858/859  
-65  
-45  
-30  
V
V
V
VEBO  
IC  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
-5  
-100  
V
mA  
mW  
°C  
PC  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
310  
TJ  
150  
TSTG  
-65 ~ 150  
°C  
* These ratings are limiting values above which the serviceability of any semiconductor device may be impaired.  
Electrical Characteristics* Ta=25°C unless otherwise noted  
Symbol  
Parameter  
Collector Cut-off Current  
DC Current Gain  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
-15  
Units  
ICBO  
VCB= -30V, IE=0  
nA  
hFE  
VCE= -5V, IC= -2mA  
110  
800  
VCE (sat)  
Collector-Emitter Saturation Voltage IC= -10mA, IB= -0.5mA  
IC= -100mA, IB= -5mA  
-90  
-250  
-300  
-650  
mV  
mV  
VBE (sat)  
VBE (on)  
fT  
Base-Emitter Saturation Voltage  
IC= -10mA, IB= -0.5mA  
IC= -100mA, IB= -5mA  
-700  
-900  
mV  
mV  
Base-Emitter On Voltage  
VCE= -5V, IC= -2mA  
VCE= -5V, IC= -10mA  
-600  
-660  
-750  
-800  
mV  
mV  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
VCE= -5V, IC= -10mA  
f=100MHz  
150  
MHz  
Cob  
NF  
VCB= -10V, IE=0, f=1MHz  
6
pF  
Noise Figure  
: BC856/857/858  
: BC859/860  
VCE= -5V, IC= -200µA  
RG=2KΩ, f=1KHz  
2
1
10  
4
dB  
dB  
: BC859  
: BC860  
VCE= -5V, IC= -200µA  
RG=2KΩ, f=30~15000Hz  
1.2  
1.2  
4
2
dB  
dB  
* Pulse Test: Pulse Width≤300µs, Duty Cycle≤2%  
©2006 Fairchild Semiconductor Corporation  
BC856- BC860 Rev. B  
1
www.fairchildsemi.com  
12345

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BC856AQ DIODES PNP, 65V, 0.1A, SOT23

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