Datasheet > BC856AR13

BC856AR13

更新时间： 2024-11-18 15:28:31

品牌	Logo	应用领域
德欧泰克 - DIOTEC		/
页数	文件大小	规格书
2页	93K
描述
Transistor

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC856AR13 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.61
Base Number Matches：	1

BC856AR13 数据手册

BC856 ... BC860

Surface Mount General Purpose Si-Epi-Planar Transistors

Si-Epi-Planar Universaltransistoren für die Oberflächenmontage

PNP

Version 2011-11-07

Power dissipation – Verlustleistung

250 mW

2.9^±0.1

1.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

SOT-23

(TO-236)

0.4

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions - Maße [mm]

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25°C)

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC857

BC860

BC858

BC859

BC856

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

- V_CEO

- V_CBO

- V_EBO

P_tot

65 V

80 V

45 V

50 V

30 V

5 V

250 mW ¹)

100 mA

200 mA

Collector current – Kollektorstrom (dc)

- I_C

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

- I_CM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 5 V, - I_C= 10 µA

Group A

Group B

Group C

H_FE

h_FE

–

150

270

–

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

Group A

Group B

Group C

H_FE

h_FE

125

220

420

180

290

520

250

475

800

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

- V_CEsat

–

300 mV

650 mV

Base-Emitter saturation voltage – Basis-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

- V_BEsat

–

700 mV

900 mV

–

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

中文翻译

下载PDF

与BC856AR13相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC856ARF	TSC	获取价格	250mW, PNP Small Signal Transistor
BC856ARFG	TSC	获取价格	250mW, PNP Small Signal Transistor
BC856AR-TAPE-13	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC856AR-TAPE-7	NXP	获取价格	TRANSISTOR 100 mA, 65 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa
BC856ARTR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC856ARTR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, PLASTIC
BC856AS	DIODES	获取价格	DUAL PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC856AS	UTC	获取价格	dual PNP
BC856AS62Z	FAIRCHILD	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 65V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC856AS-7	DIODES	获取价格	DUAL PNP SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR

与BC856AR13相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

18
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

12
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

43
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

38

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC856AR13

BC856AR13 技术参数

BC856AR13 数据手册

与BC856AR13相关器件

与BC856AR13相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC856AR13

BC856AR13 技术参数

BC856AR13 数据手册

与BC856AR13相关器件

与BC856AR13相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？