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BC856,215

更新时间: 2024-11-20 14:51:15
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
10页 89K
描述
BC856; BC857; BC858 - PNP general purpose transistors TO-236 3-Pin

BC856,215 技术参数

是否Rohs认证:符合生命周期:Transferred
零件包装代码:TO-236包装说明:SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数:3Reach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:7.17Is Samacsys:N
最大集电极电流 (IC):0.1 A集电极-发射极最大电压:65 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):125
JEDEC-95代码:TO-236ABJESD-30 代码:R-PDSO-G3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性/信道类型:PNP
最大功率耗散 (Abs):0.3 W认证状态:Not Qualified
子类别:Other Transistors表面贴装:YES
端子面层:Tin (Sn)端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
晶体管应用:SWITCHING晶体管元件材料:SILICON
标称过渡频率 (fT):100 MHzVCEsat-Max:0.65 V
Base Number Matches:1

BC856,215 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BC856; BC857; BC858  
PNP general purpose transistors  
Product data sheet  
2004 Jan 16  
Supersedes data of 2003 Apr 09  

BC856,215 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC856ALT1G ONSEMI

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