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BC856A

更新时间： 2024-02-25 16:06:25

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TAITRON		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	97K
描述
SMD General Purpose Transistor (PNP)

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BC856A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
零件包装代码：	SC-70	包装说明：	PLASTIC, SC-70, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.04	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	基于收集器的最大容量：	5 pF
集电极-发射极最大电压：	65 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	125	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.65 V	Base Number Matches：	1

BC856A 数据手册

DATA SHEET

BC856 SERIES

PNP GENERAL PURPOSE TRANSISTORS

Unit: inch (mm)

SOT- 23

225 mW

POWER

65/45/30 Volts

VOLTAGE

FEATURES

General Purpose Amplifier Applications

NPN Epitaxial Silicon, Planar Design

Collector Current IC = -100mA

.119(3.00)

.110(2.80)

Complimentary (PNP) Devices : BC846/BC847/BC848/BC849 Series

Pb free product are available : 99% Sn above can meet RoHS environment

substance directive request

.083(2.10)

.066(1.70)

.006(.15)

.002(.05)

MECHANICAL DATA

.006(.15)MAX

Case: SOT-23

.020(.50)

.014(.35)

Terminals : Solderable per MIL-STD-750,Method 2026

Approx Weight: 0.008 grams

Device Marking :

BC856A=56A

BC856B=56B

BC857A=57A

BC857B=57B

BC857C=57C

BC858A=58A

BC858B=58B

BC858C=58C

BC859B=59B

BC859C=59C

COLLECTOR

Top View

Collector

BASE

Base

Emitter

EMITTER

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS

PARAMETER

SYMBOL BC856

BC857

BC858

BC859 UNITS

Collector-Emitter Voltage

CEO

CBO

EBO

-65

-80

-45

-50

-30

Collector-Base Voltage

-30

Emitter-Base Voltage

-5

Collector Current-Continuous

Max Power Dissipation (Note 1)

Operating Junction and Storage Temperature Range

-100

225

TOT

,TSTG

-50 TO +150

^OC

PAGE . 1

STAD-JUL.11.2005

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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