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| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| 风险等级： | 5.57 | 其他特性： | LOW NOISE |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.2 A | 集电极-发射极最大电压： | 30 V |
| 配置： | SINGLE | 最小直流电流增益 (hFE)： | 420 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 3 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE |
| 极性/信道类型： | NPN | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子形式： | GULL WING |
| 端子位置： | DUAL | 晶体管应用： | AMPLIFIER |
| 晶体管元件材料： | SILICON | 标称过渡频率 (fT)： | 300 MHz |
| VCEsat-Max： | 0.25 V | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BC849CTRL13 | NXP |
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TRANSISTOR 200 mA, 30 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, BIP General Purpose Small Signa |
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| BC849CTRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon |
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| BC849CTRLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 30V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, |
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| BC849CW | INFINEON |
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NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain L |
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| BC849CW | DIOTEC |
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Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors |
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| BC849CW | PANJIT |
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NPN GENERAL PURPOSE TRANSISTORS |
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| BC849CW | TSC |
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NPN Transistor |
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| BC849CW | NEXPERIA |
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NPN general purpose transistorsProduction |
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| BC849CW | NXP |
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NPN general purpose transistors |
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| BC849CW,115 | NXP |
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BC849W; BC850W - NPN general purpose transistors SC-70 3-Pin |
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