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BC849CW

更新时间: 2024-01-10 09:13:37
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恩智浦 - NXP 晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数 文件大小 规格书
8页 52K
描述
NPN general purpose transistors

BC849CW 技术参数

生命周期:ObsoleteReach Compliance Code:compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.21.00.95
风险等级:5.33Is Samacsys:N
其他特性:LOW NOISE最大集电极电流 (IC):0.1 A
基于收集器的最大容量:3 pF集电极-发射极最大电压:30 V
配置:SINGLE最小直流电流增益 (hFE):200
JESD-30 代码:R-PDSO-G3元件数量:1
端子数量:3最高工作温度:150 °C
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE极性/信道类型:NPN
认证状态:Not Qualified子类别:Other Transistors
表面贴装:YES端子形式:GULL WING
端子位置:DUAL晶体管应用:AMPLIFIER
晶体管元件材料:SILICON标称过渡频率 (fT):100 MHz
VCEsat-Max:0.6 VBase Number Matches:1

BC849CW 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
book, halfpage  
BC849W; BC850W  
NPN general purpose transistors  
1999 Apr 12  
Product specification  
Supersedes data of 1997 Jun 20  

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