BC849CW

更新时间： 2024-01-12 10:42:08

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英飞凌 - INFINEON		晶体驱动器小信号双极晶体管光电二极管
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8页	275K
描述
NPN Silicon AF Transistor (For AF input stages and driver applications High current gain Low collector-emitter saturation voltage)

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BC849CW 技术参数

生命周期：	Obsolete	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.33	Is Samacsys：	N
其他特性：	LOW NOISE	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
基于收集器的最大容量：	3 pF	集电极-发射极最大电压：	30 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
认证状态：	Not Qualified	子类别：	Other Transistors
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	AMPLIFIER
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
VCEsat-Max：	0.6 V	Base Number Matches：	1

BC849CW 数据手册

NPN Silicon AF Transistor

BC 846 W ... BC 850 W

Features

● For AF input stages and driver applications

● High current gain

● Low collector-emitter saturation voltage

● Low noise between 30Hz and 15 kHz

● Complementary types: BC 856 W, BC 857 W,

BC 858 W,BC 859 W,

BC 860 W (PNP)

Type

Marking

Ordering code

(tape and reel)

Pin Configuration

Package

BC 846 AW

BC 846 BW

BC 847 AW

BC 847 BW

BC 847 CW

BC 848 AW

BC 848 BW

BC 848 CW

BC 849 BW

BC 849 CW

BC 850 BW

BC 850 CW

1 As

1 Bs

1 Es

1 Fs

1 Gs

1 Js

1 Ks

1 Ls

2 Bs

2 Cs

2 Fs

2 Gs

Q62702-C2319

Q62702-C2279

Q62702-C2304

Q62702-C2305

Q62702-C2306

Q62702-C2307

Q62702-C2308

Q62702-C2309

Q62702-C2310

Q62702-C2311

Q62702-C2312

Q62702-C2313

SOT 323

Semiconductor Group

04.96

12 3 4 5 6 7 8

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