BC847PN-7-F

更新时间： 2024-11-25 03:09:31

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美台 - DIODES		晶体晶体管
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2页	128K
描述
COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE MOUNT TRANSISTOR

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BC847PN-7-F 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数：	6	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.93
其他特性：	HIGH RELIABILITY	外壳连接：	ISOLATED
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SEPARATE, 2 ELEMENTS	最小直流电流增益 (hFE)：	200
JESD-30 代码：	R-PDSO-G6	JESD-609代码：	e3
湿度敏感等级：	1	元件数量：	2
端子数量：	6	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性/信道类型：	NPN AND PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
认证状态：	Not Qualified	子类别：	BIP General Purpose Small Signals
表面贴装：	YES	端子面层：	Matte Tin (Sn)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	300 MHz	Base Number Matches：	1

BC847PN-7-F 数据手册

BC847PN

NPN

PNP

NPN

PNP

Complementary Surface Mount General Purpose Si-Planar Transistors

Komplementäre Si-Planar Transistoren für die Oberflächenmontage

Version 2006-09-05

Power dissipation

Verlustleistung

300 mW

SOT-363

0.01 g

2^±0.1

2 x 0.65

0.9^±0.1

Plastic case

Kunststoffgehäuse

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

2.4

Dimensions - Maße [mm]

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

6 = C1

1 = E1

5 = B2

2 = B1

4 = E2

3 = C2

Maximum ratings (T_A= 25°C)

per transistor – pro Transistor

Grenzwerte (T_A= 25°C)

BC847PN

45 V

Collector-Emitter-volt. – Kollektor-Emitter-Spannung

Collector-Base-voltage – Kollektor-Basis-Spannung

Emitter-Base-voltage – Emitter-Basis-Spannung

Power dissipation – Verlustleistung

B open

E open

C open

V_CBO

V_CEO

V_EB0

P_tot

I_C

50 V

6 V

300 mW ¹)

100 mA

200 mA

Collector current – Kollektorstrom (dc)

Peak Collector current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

I_CM

I_BM

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

T_j

T_S

-55...+150°C

-55…+150°C

Characteristics (T_j= 25°C)

Kennwerte (T_j= 25°C)

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

V_CE= 5 V, I_C= 2 mA

T1 - NPN

T2 - PNP

h_FE

200

220

–

450

475

- V_CE= 5 V, - I_C= 2 mA

Collector-Emitter saturation voltage – Kollektor-Sättigungsspannung ²)

I_C= 10 mA, I_B= 0.5 mA

I_C= 100 mA, I_B= 5 mA

V_CEsat

–

250 mV

600 mV

T1 - NPN

T2 - PNP

- I_C= 10 mA, - I_B= 0.5 mA

- I_C= 100 mA, - I_B= 5 mA

- V_CEsat

–

300 mV

650 mV

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluss

Tested with pulses t_p= 300 µs, duty cycle ≤ 2% – Gemessen mit Impulsen t_p= 300 µs, Schaltverhältnis ≤ 2%

http://www.diotec.com/

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BC847PN-7-F 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
UMX1NTN	ROHM	功能相似	General purpose transistors (dual transistors)
UMZ1NTR	ROHM	功能相似	General purpose transistor (dual transistors)

与BC847PN-7-F相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847PN-7R-F	DIODES	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP
BC847PNE6327	INFINEON	获取价格	NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays
BC847PNE6327	ROCHESTER	获取价格	100mA, 45V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847PNE6327BTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
BC847PNE6327HTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
BC847PNE6327XT	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
BC847PNE6433	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
BC847PNH6327XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
BC847PNH6727XTSA1	INFINEON	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
BC847PNHE3	MCC	获取价格	Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;

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