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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC847PN-7R-F
BC847PN-7R-F PDF预览

BC847PN-7R-F

更新时间： 2024-09-23 13:05:55
品牌 Logo 应用领域
美台 - DIODES 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
3页 48K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), NPN and PNP

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BC847PN-7R-F 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.55最大集电极电流 (IC)：0.1 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SEPARATE, 2 ELEMENTS
最小直流电流增益 (hFE)：200JESD-30 代码：R-PDSO-G6
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：2端子数量：6
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：260极性/信道类型：NPN AND PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.2 W参考标准：AEC-Q101
子类别：BIP General Purpose Small Signals表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：30
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：300 MHzBase Number Matches：1

BC847PN-7R-F 数据手册

 浏览型号BC847PN-7R-F的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC847PN-7R-F的Datasheet PDF文件第3页 
BC847PN  
COMPLEMENTARY PAIR SMALL SIGNAL SURFACE  
MOUNT TRANSISTOR  
Features  
·
·
Epitaxial Die Construction  
Two internal isolated NPN/PNP Transistors in  
one package  
SOT-363  
Min  
A
Dim  
A
Max  
0.30  
1.35  
2.20  
·
Ultra-Small Surface Mount Package  
C1  
B2  
E2  
0.10  
B
1.15  
C
B
Mechanical Data  
C
2.00  
E1  
B1  
C2  
D
·
·
Case: SOT-363, Molded Plastic  
Case material - UL Flammability Rating  
Classification 94V-0  
Moisture sensitivity: Level 1 per J-STD-020A  
Terminals: Solderable per MIL-STD-202,  
Method 208  
Terminal Connections: See Diagram  
Marking (See Page 3): K7P  
Ordering & Date Code Information: See Page 3  
Weight: 0.006 grams (approx.)  
0.65 Nominal  
G
H
F
0.30  
1.80  
¾
0.40  
2.20  
0.10  
1.00  
0.40  
0.25  
H
·
·
K
J
J
M
K
0.90  
0.25  
0.10  
L
·
·
·
·
L
D
F
M
a
°8  
All Dimensions in mm  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
Total Device  
Characteristic  
Power Dissipation (Note 1)  
Symbol  
Pd  
Value  
200  
Unit  
mW  
°C/W  
°C  
RqJA  
Thermal Resistance, Junction to Ambient (Note 1)  
Operating and Storage Temperature Range  
625  
Tj, TSTG  
-65 to +150  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
NPN BC847B Section  
Characteristic  
Symbol  
Value  
50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
45  
V
6.0  
100  
200  
200  
mA  
mA  
mA  
ICM  
Peak Collector Current  
Peak Emitter Current  
IEM  
@ TA = 25°C unless otherwise specified  
Maximum Ratings  
PNP BC857B Section  
Characteristic  
Symbol  
Value  
-50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
VEBO  
IC  
Collector-Base Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
Emitter-Base Voltage  
Collector Current  
V
-45  
-5.0  
V
-100  
-200  
-200  
mA  
mA  
mA  
ICM  
Peak Collector Current  
Peak Emitter Current  
IEM  
Notes:  
1. Device mounted on FR-4 PCB, 1 inch x 0.85 inch x 0.062 inch; pad layout as shown on Diodes Inc. suggested pad layout  
document AP02001, which can be found on our website at http://www.diodes.com/datasheets/ap02001.pdf.  
DS30278 Rev. 2 - 2  
1 of 3  
BC847PN  
123

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与BC847PN-7R-F相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC847PNE6327 INFINEON

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 		NPN/PNP Silicon AF Transistor Arrays
BC847PNE6327 ROCHESTER

获取价格

 		100mA, 45V, 2 CHANNEL, NPN AND PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC847PNE6327BTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
BC847PNE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
BC847PNE6327XT INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
BC847PNE6433 INFINEON

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon
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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
BC847PNH6727XTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 2-Element, NPN and PNP, Silicon,
BC847PNHE3 MCC

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 		Tape: 3K/Reel , 120K/Ctn;
BC847PNQ DIODES

获取价格

 		Complementary, 45V, 0.1A, SOT363

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