是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
Reach Compliance Code: | not_compliant | HTS代码: | 8541.21.00.95 |
风险等级: | 5.01 | 其他特性: | LOW NOISE |
最大集电极电流 (IC): | 0.1 A | 基于收集器的最大容量: | 2.5 pF |
集电极-发射极最大电压: | 45 V | 配置: | SINGLE |
最小直流电流增益 (hFE): | 200 | JESD-30 代码: | R-PDSO-G3 |
JESD-609代码: | e0 | 元件数量: | 1 |
端子数量: | 3 | 最高工作温度: | 150 °C |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
极性/信道类型: | NPN | 最大功率耗散 (Abs): | 0.35 W |
认证状态: | Not Qualified | 子类别: | Other Transistors |
表面贴装: | YES | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | GULL WING | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料: | SILICON |
标称过渡频率 (fT): | 300 MHz | VCEsat-Max: | 0.6 V |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
BC847BTR13LEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | |
BC847BTRL | NXP |
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100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | |
BC847BTRL13 | YAGEO |
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Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon | |
BC847BTRL13 | NXP |
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100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB | |
BC847BTRLEADFREE | CENTRAL |
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Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, | |
BC847BTRPBFREE | CENTRAL |
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Transistor, | |
BC847BTRTIN/LEAD | CENTRAL |
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Transistor | |
BC847BT-T | MCC |
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Transistor | |
BC847BTT1 | ONSEMI |
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General Purpose Transistors NPN Silicon | |
BC847BTT1/D | ETC |
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General Purpose Transistors |