BC847BTT1G

更新时间： 2024-11-15 08:49:47

品牌	Logo	应用领域
安森美 - ONSEMI		晶体小信号双极晶体管光电二极管放大器
页数	文件大小	规格书
6页	75K
描述
General Purpose Transistors NPN Silicon

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册
替代型号

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

BC847BTT1G 技术参数

是否无铅：	不含铅	生命周期：	Active
零件包装代码：	SC-75	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	Factory Lead Time：	1 week
风险等级：	0.95	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.15 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC847BTT1G 数据手册

BC847ATT1, BC847BTT1,

BC847CTT1

General Purpose

Transistors

NPN Silicon

http://onsemi.com

These transistors are designed for general purpose amplifier

applications. They are housed in the SC−75/SOT−416 package which

is designed for low power surface mount applications.

COLLECTOR

Features

BASE

• Pb−Free Packages are Available*

EMITTER

MAXIMUM RATINGS (T = 25°C)

Rating

Collector−Emitter Voltage

Collector−Base Voltage

Emitter−Base Voltage

Symbol

Max

Unit

CEO

CBO

EBO

CASE 463

SC−75/SOT−41

6.0

100

STYLE 1

Collector Current − Continuous

mAdc

Maximum ratings are those values beyond which device damage can occur.

Maximum ratings applied to the device are individual stress limit values (not

normal operating conditions) and are not valid simultaneously. If these limits

are exceeded, device functional operation is not implied, damage may occur

and reliability may be affected.

MARKING DIAGRAM

THERMAL CHARACTERISTICS

xxM

Characteristic

Symbol

Max

Unit

Total Device Dissipation,

FR−4 Board (Note 1)

200

xx = Device Code

M = Date Code

T = 25°C

Derated above 25°C

1.6

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

600

Junction−to−Ambient (Note 1)

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information in the package

dimensions section on page 5 of this data sheet.

Total Device Dissipation,

FR−4 Board (Note 2)

300

T = 25°C

Derated above 25°C

2.4

mW/°C

°C/W

Thermal Resistance,

400

Junction−to−Ambient (Note 2)

Junction and Storage

Temperature Range

T , T

−55 to

+150

°C

stg

1. FR−4 @ min pad.

2. FR−4 @ 1.0 × 1.0 in pad.

*For additional information on our Pb−Free strategy and soldering details, please

download the ON Semiconductor Soldering and Mounting Techniques

Reference Manual, SOLDERRM/D.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2004

Publication Order Number:

June, 2004 − Rev. 1

BC847ATT1/D

12 3 4 5 6

中文翻译

下载PDF

BC847BTT1G 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC847AWT1G	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors
BC847CLT1G	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors(NPN Silicon)
BC847ALT1G	ONSEMI	类似代替	General Purpose Transistors(NPN Silicon)

与BC847BTT1G相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847BT-TP	MCC	获取价格	NPN Surface Mount Small Signal Transistor 150mW
BC847BT-TP-HF	MCC	获取价格	暂无描述
BC847BTTR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC847BTTRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor,
BC847BU3	ROHM	获取价格	BC847BU3是一款用于小信号低频放大的双极晶体管。
BC847BU3HZG	ROHM	获取价格	本产品是小信号低频放大用晶体管。与BC857BU3HZG互补。是符合AEC-Q101标准的
BC847BV	NXP	获取价格	NPN general purpose double transistor
BC847BV	HTSEMI	获取价格	DUAL TRANSISTOR (NPN)
BC847BV	SECOS	获取价格	Plastic-Encapsulate Transistors
BC847BV	NEXPERIA	获取价格	NPN general purpose double transistorProduction

与BC847BTT1G相关文章

解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
2024-11-18

7
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
2024-11-18

4
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
2024-11-14

30
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
2024-11-14

13

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC847BTT1G

BC847BTT1G 技术参数

BC847BTT1G 数据手册

BC847BTT1G 替代型号

与BC847BTT1G相关器件

与BC847BTT1G相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

BC847BTT1G

BC847BTT1G 技术参数

BC847BTT1G 数据手册

BC847BTT1G 替代型号

与BC847BTT1G相关器件

与BC847BTT1G相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？