BC847B-TP

更新时间： 2024-11-15 13:05:51

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美微科 - MCC		晶体晶体管光电二极管 IOT
页数	文件大小	规格书
2页	107K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC PACKAGE-3

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BC847B-TP 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
针数：	3	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	EAR99	风险等级：	0.59
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	200	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	260	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.225 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	10
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC847B-TP 数据手册

BC846A

THRU

BC848C

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

21201 Itasca Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Features

NPN Small

Signal Transistor

310mW

Ideally Suited for Automatic Insertion

150^oC Junction Temperature

For Switching and AF Amplifier Applications

Mechanical Data

l Case: SOT-23, Molded Plastic

SOT-23

l Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208

l Polarity: See Diagram

l Weight: 0.008 grams ( approx.)

Marking Code (Note 2)

Type

Marking

Type

Marking

BC846A

BC846B

BC847A

BC847B

BC847C

BC848A

BC848B

BC848C

Maximum Ratings @ 25^oC Unless Otherwise Specified

DIMENSIONS

Charateristic

Symbol Value Unit

INCHES

MIN

DIM

MAX

.120

.098

.055

.041

.081

.024

.0039

.044

.007

.020

MIN

2.80

2.10

1.20

.89

1.78

.45

.013

.89

MAX

3.04

2.64

1.40

1.03

2.05

.60

NOTE

6.0

5.0

Collector-Base Voltage

BC846

BC847

BC848

BC846

BC847

BC848

.110

.083

.047

.035

.070

.018

.0005

.035

.003

.015

V_CBO

Collector-Emitter Voltage

V_CEO

.100

1.12

.180

.51

.085

.37

Emitter-Base Voltage BC846,BC847

V_EBO

BC848

Suggested Solder

Pad Layout

Collector Current

I_C

100

200

310

Peak Collector Current

I_CM

I_EM

P_d

.031

.800

Peak Emitter Current

Power Dissipation@T_s=50^oC(Note1)

.035

.900

Operating & Storage Temperature

T_j, T_STG-55~150 ^oC

.079

2.000

inches

Note: 1. Package mounted on ceramic substrate

0.7mm X 2.5cm²area.

.037

.950

2. Current gain subgroup “ C” is not available

for BC846.

.037

.950

www.mccsemi.com

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BC847B-TP 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
BC847BW-TP	MCC	类似代替	NPN General Purpose Transistors
BC847C-13-F	DIODES	功能相似	NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR IN SOT23

与BC847B-TP相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC847BTQ	DIODES	获取价格	NPN, 45V, 0.1A, SOT523
BC847BTR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847BTR13LEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847BTRL	NXP	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC847BTRL13	YAGEO	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.2A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC847BTRL13	NXP	获取价格	100mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC847BTRLEADFREE	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon,
BC847BTRPBFREE	CENTRAL	获取价格	Transistor,
BC847BTRTIN/LEAD	CENTRAL	获取价格	Transistor
BC847BT-T	MCC	获取价格	Transistor

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