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BC817-40/T4

更新时间： 2024-02-14 17:54:18
品牌 Logo 应用领域
恩智浦 - NXP 开关光电二极管晶体管
页数 文件大小 规格书
19页 236K
描述
TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB, PLASTIC PACKAGE-3, BIP General Purpose Small Signal

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BC817-40/T4 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
风险等级：5.27最大集电极电流 (IC)：0.5 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JEDEC-95代码：TO-236AB
JESD-30 代码：R-PDSO-G3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE极性/信道类型：NPN
认证状态：Not Qualified表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzVCEsat-Max：0.7 V

BC817-40/T4 数据手册

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BC817; BC817W; BC337  
NXP Semiconductors  
45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors  
5. Limiting values  
Table 6.  
Limiting values  
In accordance with the Absolute Maximum Rating System (IEC 60134).  
Symbol Parameter  
Conditions  
Min  
Max  
50  
Unit  
V
VCBO  
VCEO  
collector-base voltage  
open emitter  
-
-
collector-emitter voltage  
open base;  
IC = 10 mA  
45  
V
VEBO  
IC  
emitter-base voltage  
collector current (DC)  
peak collector current  
peak base current  
total power dissipation  
BC817  
open collector  
-
-
-
-
5
V
500  
1
mA  
A
ICM  
IBM  
Ptot  
200  
mA  
[1][2]  
[1][2]  
[1][2]  
Tamb ≤ 25 °C  
Tamb ≤ 25 °C  
Tamb ≤ 25 °C  
-
250  
mW  
mW  
mW  
°C  
BC817W  
-
200  
BC337  
-
625  
Tstg  
Tj  
storage temperature  
junction temperature  
ambient temperature  
−65  
-
+150  
150  
°C  
Tamb  
−65  
+150  
°C  
[1] Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.  
[2] Valid for all available selection groups.  
6. Thermal characteristics  
Table 7.  
Symbol Parameter  
Rth(j-a) thermal resistance from  
Thermal characteristics  
Conditions  
Min  
Typ  
Max Unit  
junction to ambient  
[1][2]  
[1][2]  
[1][2]  
BC817  
Tamb ≤ 25 °C  
Tamb ≤ 25 °C  
Tamb ≤ 25 °C  
-
-
-
-
-
-
500  
625  
200  
K/W  
K/W  
K/W  
BC817W  
BC337  
[1] Transistor mounted on an FR4 printed-circuit board, single-sided copper, tin-plated and standard footprint.  
[2] Valid for all available selection groups.  
BC817_BC817W_BC337_6  
© NXP B.V. 2009. All rights reserved.  
Product data sheet  
Rev. 06 — 17 November 2009  
4 of 19  
1234567...19

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与BC817-40/T4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC817-40-13 DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon, PLASTIC
BC817-40-3L BL Galaxy Electrical

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 		45V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
BC817-40-6L BL Galaxy Electrical

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 		45V,0.5A,General Purpose NPN Bipolar Transistor
BC817-40-7 DIODES

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC817-40-7-F BL Galaxy Electrical

获取价格

 		NPN SURFACE MOUNT SMALL SIGNAL TRANSISTOR
BC817-40-AE3-R UTC

获取价格

 		NPN GENERAL PURPOSE AMPLIFIER
BC817-40-AU PANJIT

获取价格

 		SOT-23
BC81740D87Z FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 1.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon
BC817-40D87Z TI

获取价格

 		1500mA, 45V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-236AB
BC817-40E6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, NPN, Silicon

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