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BC817-40 PDF预览

BC817-40

更新时间： 2024-02-04 21:55:52
品牌 Logo 应用领域
RECTRON 晶体晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 350K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR (NPN)

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BC817-40 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3Reach Compliance Code：compliant
风险等级：5.73Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.5 A集电极-发射极最大电压：45 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：250
JESD-30 代码：R-PDSO-G3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：NPN
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC817-40 数据手册

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BC817-16  
BC817-25  
BC817-40  
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS  
TRANSISTOR (NPN)  
FEATURES  
For general AF applications  
High collector current  
*
*
*
*
High current gain  
Low collector-emitter saturation voltage  
SOT-23  
COLLECTOR  
3
0.055(1.40)  
0.047(1.20)  
BASE  
MECHANICAL DATA  
* Case: Molded plastic  
1
2
EMITTER  
* Epoxy: UL 94V-O rate flame retardant  
* Lead: MIL-STD-202E method 208C guaranteed  
* Mounting position: Any  
0.006(0.15)  
0.003(0.08)  
0.043(1.10)  
0.035(0.90)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
0.004(0.10)  
0.000(0.00)  
* Weight: 0.008 gram  
0.100(2.55)  
0.089(2.25)  
0.020(0.50)  
0.012(0.30)  
1
2
0.019(2.00)  
0.071(1.80)  
0.118(3.00)  
0.110(2.80)  
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS  
Ratings at 25OC ambient temperature unless otherwise specified.  
Single phase, half wave, 60 Hz, resistive or inductive load.  
For capacitive load, derate current by 20%.  
3
Dimensions in inches and (millimeters)  
MAXIMUM RATINGS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
CHARACTERISTICS  
Collector-base voltage  
SYMBOL  
VALUE  
50  
UNITS  
V
CBO  
V
V
V
CEO  
Collector-emitter voltage  
Emitter-base voltage  
45  
5
V
EBO  
V
A
I
Collector current-continuous  
Collector dissipation  
0.5  
C
P
C
0.3  
W
oC  
Junction and storage temperature  
TJ,Tstg  
-55 -150  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS ( @ TA = 25oC unless otherwise noted )  
BC817-16 BC817-25 BC817-40 BC817-16 BC817-25 BC817-40  
CHARACTERISTICS  
SYMBOL  
UNITS  
MIN.  
50  
MAX.  
Collector-base breakdown voltage (I = 10mA, I =0)  
V
V
-
-
V
V
C
E
CBO  
Collector-emitter breakdown voltage (I = 10mA, I =0)  
45  
C
B
CEO  
Emitter-base breakdown voltage (I = 1mA, I =0)  
V
I
5
-
-
V
E
C
EBO  
Collector cut-off current (V = 45V, I =0)  
0.1  
mA  
CB  
E
CBO  
Emitter cut-off current (V = 4V, I =0)  
I
EBO  
-
0.1  
mA  
-
EB  
C
DC current gain (V = 1V, I = 100mA)  
h
FE(1)  
100  
160  
250  
250  
400  
600  
CE  
C
Collector-emitter saturation voltage (I = 500mA, I = 50mA)  
V
V
-
-
0.7  
1.2  
V
V
C
B
CE(sat)  
Base-emitter saturation voltage (I = 500mA, I = 50mA)  
C
B
BE(sat)  
Base-emitter voltage (V = 1V, I = 500mA)  
V
-
1.2  
V
CE  
C
BE(ON)  
Collector capactiance (V =10V, f = 1MHz)  
10  
pF  
Cob  
CB  
Transition frequency (V = 5V, I = 10mA, f= 100MHZ)  
CE  
100  
-
MHZ  
f
T
C
MARKING:  
BC817-16---6A;  
BC817-25---6B;  
BC817-40---6C  
2007-3  
1234

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型号 品牌 描述 获取价格 数据表
BC817-40,215 NXP BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin

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BC817-40,235 NXP BC817; BC817W; BC337 - 45 V, 500 mA NPN general-purpose transistors TO-236 3-Pin

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BC817-40.215 NXP NPN general-purpose transistors.

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