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BC817-40

更新时间： 2024-01-27 03:24:24

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RECTRON		晶体晶体管
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4页	350K
描述
SOT-23 BIPOLAR TRANSISTORS TRANSISTOR (NPN)

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BC817-40 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.73	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	NPN
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC817-40 数据手册

RATING AND CHARACTERISTICS CURVES ( BC817-16/-25/-40 )

500

400

300

200

0.6

V_CE=5.0V

b = 10

0.5

25^OC

125^OC

0.4

0.3

25^OC

-40^OC

0.2

-40^OC

100

0.1

0.01

0.001

0.01

0.1

I , COLLECTOR CURRENT (A)

COLLECTOR CURRENT (A)

Figure1. TYPICAL PULSE CURRENT GAIN

vs. COLLECTOR CURRENT

Figure2. COLLECTOR-EMITTER SATURATION

VOLTAGE vs.COLLECTOR CURRENT

b = 10

VCE= 5V

1.2

1.0

-40^O

0.8

0.6

25^O

-40^OC

0.8

125^O

25^OC

0.6

0.4

0.2

125^OC

0.4

0.2

0.01

0.1

0.001

100

1000

I ,COLLECTOR CURRENT(mA)

Ic, COLLECTOR CURRENT (A)

Figure3. BASE^c-EMITTER STURATION VOLTAGE

Figure4. BASE-EMITTER ON VOLTAGE vs.

COLLECTOR CURRENT

vs. COLLECTOR CURRENT

100

VCB= 40V

0.1

0.01

T_A, AMBIENT TEMPERATURE ( C)

100

125

150

V_CB, COLLECTOR-BASE VOLTAGE (V)

Figure5. COLLECTOR-CUT OFF CURRENT

vs. COLLECTOR CURRENT

Figure6. COLLECTOR-BASE CAPACITANCE

vs. COLLECTOR-BASE VOLTAGE

123 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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