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BC817-25W

更新时间： 2024-02-19 11:02:43

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SECOS		晶体晶体管开关光电二极管
页数	文件大小	规格书
2页	235K
描述
NPN Plastic Encapsulate Transistor

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数据手册

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BC817-25W 技术参数

生命周期：	Active	包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.55
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	45 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
元件数量：	1	端子数量：	3
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
表面贴装：	YES	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管应用：	SWITCHING
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	170 MHz
Base Number Matches：	1

BC817-25W 数据手册

BC817 -16W, -25W, -40W

500 mA, 50 V

NPN Plastic Encapsulate Transistor

Elektronische Bauelemente

RoHS Compliant Product

A suffix of “-C” specifies halogen & lead-free

SOT-323

FEATURES



For general AF applications

High collector current

High current gain

Low collector-emitter saturation voltage

Top View

C B

PACKAGE INFORMATION

Weight: 0.0074 g (approximately)

Collector



Millimeter

Min. Max.

0.100 REF.

0.525 REF.

REF.

Min.

Max.

2.20

2.45

1.35

1.10

1.40

0.40

1.80

1.15

0.80

1.20

0.20

MARKING



Base

0.08

0.25

BC817-16W:

BC817-25W:

BC817-40W:

0.650 TYP.



6C , YM

Emitter

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS at Ta = 25°C

Parameter

Symbol

V_CBO

Ratings

Unit

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current

V_CEO

V_EBO

I_C

500

℃

Collector Power Dissipation

Junction, Storage Temperature

P_C

300

T_J, T_STG

-55 ~ +150

CHARACTERISTICS at Ta = 25°C

Parameter

Collector-base Breakdown Voltage

Collector-emitter Breakdown Voltage

Emitter-base Breakdown Voltage

Collector Cut-off Current

Symbol

BV_CBO

BV_CEO

BV_EBO

I_CBO

Min.

Max.

Unit

Test Conditions

I_C= 10 uA, I_E= 0

I_C= 10 mA, I_B= 0

I_E= 1 uA, I_C= 0

0.1

0.7

1.2

600

V_CB= 20V, I_E= 0

Emitter Cut-off Current

I_EBO

V_EB= 5V, I_C= 0

Collector-emitter Saturation Voltage

Base-emitter Saturation Voltage

Base-emitter Voltage

V_CE(sat)

V_BE(sat)

V_BE(on)

h_FE(1)

I_C= 500mA, I_B= 50 mA

V_CE= 1V, I_C= 500mA

V_CE= 1 V, I_C= 100 mA

V_CE= 1 V, I_C= 500 mA

DC Current Gain

100

DC Current Gain

h_FE(2)

_CE= 5 V, I_C= 10 mA,

Transition Frequency

Collector Capacitance

f_T

100

MHz

f = 100MHz

C_C

V_CB= 10V, f=1MHz

CLASSIFICATION OF h_FE(1)

Rank

BC817-16W

BC817-25W

BC817-40W

Range

100 - 250

160 - 400

250 - 600

28-Jul-2010 Rev. C

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与BC817-25W相关器件

型号	品牌	描述	获取价格	数据表
BC817-25W,115	ETC	TRANS NPN 45V 0.5A SOT323	获取价格
BC817-25W,135	ETC	TRANS NPN 45V 0.5A SOT323	获取价格
BC817-25W/T3	NXP	TRANSISTOR 500 mA, 45 V, NPN, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene	获取价格
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