BC81740

更新时间： 2024-11-28 22:48:15

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NPN SILICON PLANAR MEDIUM POWER TRANSISTOR

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BC81740 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.75
风险等级：	5.32	Is Samacsys：	N
最大集电极电流 (IC)：	0.5 A	集电极-发射极最大电压：	45 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	250
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	JESD-609代码：	e0
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	极性/信道类型：	NPN
最大功率耗散 (Abs)：	0.33 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	YES
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子位置：	DUAL	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	200 MHz	Base Number Matches：	1

BC81740 数据手册

SOT23 NPN SILICON PLANAR

MEDIUM POWER TRANSISTOR

BC817

ISSUE 5 – MARCH 2001

✪

PARTMARKING DETAILS

BC81716 –

BC81725 –

BC81740 –

6AZ

6BZ

6CZ

COMPLEMENTARY TYPE

– BC807

SOT23

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS.

PARAMETER

SYMBOL

V_CBO

V_CEO

V_EBO

I_CM

VALUE

UNIT

Collector-Base Voltage

Collector-Emitter Voltage

Emitter-Base Voltage

Peak Pulse Current

Continuous Collector Current

Base Current

I_C

500

°C

I_B

100

Peak Base Current

I_BM

200

Power Dissipation at T_amb=25°C

Operating and Storage Temperature Range

P_tot

330

T_j:T_stg

-55 to +150

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (at T

= 25°C unless otherwise stated).

amb

PARAMETER

SYMBOL MIN. TYP. MAX. UNIT CONDITIONS.

Collector Cut-Off

Current

I_CBO

0.1

V_CB=20V, I_E=0

_CB=20V, I_E=0, T_amb=150°C

µA

Emitter Cut-Off Current I_EBO

µA

V_EB=5V, I_C=0

Collector-Emitter

Saturation Voltage

V_CE(sat)

700

I_C=500mA, I_B=50mA*

Base-Emitter

Saturation Voltage

V_BE(on)

1.2

I_C=500mA, V_CE=1V*

Static Forward Current h_FE

Transfer Ratio

BC81716

BC81725

100

160

250

400

600

I_C=100mA, V_CE=1V*

I_C=500mA, V_CE=1V*

BC81740

All bands

Transition Frequency

f_T

200

5.0

MHz I_C=10mA, V_CE=5V

f=35MHz

Output Capacitance

C_obo

V_CB=10V, f=1MHz

*Measured under pulsed conditions.

TBA

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