BC808

更新时间： 2024-11-17 22:48:15

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德欧泰克 - DIOTEC		晶体晶体管光电二极管
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2页	121K
描述
Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

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BC808 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.59	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	40	JEDEC-95代码：	TO-236
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	1	端子数量：	3
最低工作温度：	-55 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
极性/信道类型：	PNP	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
晶体管元件材料：	SILICON	标称过渡频率 (fT)：	100 MHz
Base Number Matches：	1

BC808 数据手册

BC 807 / BC 808

PNP

General Purpose Transistors

Surface mount Si-Epitaxial PlanarTransistors

PNP

Si-Epitaxial PlanarTransistoren für die Oberflächenmontage

Power dissipation – Verlustleistung

310 mW

±0.1

Plastic case

SOT-23

1.1

2.9

0.4

Kunststoffgehäuse

(TO-236)

Type

Code

Weight approx. – Gewicht ca.

0.01 g

Plastic material has UL classification 94V-0

Gehäusematerial UL94V-0 klassifiziert

1.9

Standard packaging taped and reeled

Standard Lieferform gegurtet auf Rolle

Dimensions / Maße in mm

1 = B 2 = E 3 = C

Maximum ratings (T_A= 25ꢀC)

Grenzwerte (T_A= 25ꢀC)

BC 807

BC 808

25 V

30 V

Collector-Emitter-voltage

Collector-Base-voltage

Emitter-Base-voltage

Power dissipation – Verlustleistung

B open

B shorted - V_CES

E open

C open

- V_CE0

45 V

50 V

- V_CB0

- V_EB0

P_tot

30 V

5 V

310 mW ¹)

800 mA

1000 mA

200 mA

1000 mA

150ꢀC

Collector current – Kollektorstrom (DC)

Peak Coll. current – Kollektor-Spitzenstrom

Peak Base current – Basis-Spitzenstrom

Peak Emitter current – Emitter-Spitzenstrom

Junction temperature – Sperrschichttemperatur

Storage temperature – Lagerungstemperatur

- I_C

- I_CM

- I_BM

I_EM

T_j

T_S

- 65…+ 150ꢀC

Characteristics, T_j= 25ꢀC

Kennwerte, T_j= 25ꢀC

Min.

Typ.

Max.

DC current gain – Kollektor-Basis-Stromverhältnis

- V_CE= 1 V, - I_C= 100 mA

- V_CE= 1 V, - I_C= 500 mA

h_FE

100

160

250

–

160

250

400

600

–

250

400

600

BC807

BC808

Group -16

Group -25

Group -40

- V_CE= 1 V, - I_C= 100 mA

)

Mounted on P.C. board with 3 mm²copper pad at each terminal

Montage auf Leiterplatte mit 3 mm²Kupferbelag (Lötpad) an jedem Anschluß

01.11.2003

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与BC808相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
BC808.16	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC808.16BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.16TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.16TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25	ETC	获取价格	TRANSISTOR \| BJT \| PNP \| 25V V(BR)CEO \| 500MA I(C) \| TO-226AA
BC808.25BK	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25LT1G	ONSEMI	获取价格	General Purpose Transistors
BC808.25TR	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.25TR13	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon,
BC808.40	CENTRAL	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SOT-23,

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