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Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC80740MTF
BC80740MTF PDF预览

BC80740MTF

更新时间： 2024-11-25 12:56:03
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体开关放大器小信号双极晶体管光电二极管PC
页数 文件大小 规格书
6页 77K
描述
Switching and Amplifier Applications

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BC80740MTF 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SOT-23
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.53
Samacsys Confidence：3Samacsys Status：Released
Samacsys PartID：166773Samacsys Pin Count：3
Samacsys Part Category：Integrated CircuitSamacsys Package Category：SOT23 (3-Pin)
Samacsys Footprint Name：SOT-23 3LSamacsys Released Date：2015-05-24 21:47:42
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：170JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3湿度敏感等级：1
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.35 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：YES
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC80740MTF 数据手册

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BC807/BC808  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC817/BC818  
3
2
SOT-23  
1
1. Base 2. Emitter 3. Collector  
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
: BC807  
: BC808  
-50  
-30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC807  
: BC808  
-45  
-25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
Collector Current (DC)  
-5  
-800  
V
I
mA  
mW  
°C  
C
P
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
-310  
C
T
T
150  
J
-65 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC807  
: BC808  
-45  
-25  
V
V
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
I = -0.1mA, V =0  
C BE  
: BC807  
: BC808  
-50  
-30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
Collector Cut-off Current  
Emitter Cut-off Current  
DC Current Gain  
I = -0.1mA, I =0  
-5  
V
E
C
I
I
V
= -25V, V =0  
-100  
-100  
630  
nA  
nA  
CES  
EBO  
CE  
EB  
BE  
V
= -4V, I =0  
C
h
h
V
V
= -1V, I = -100mA  
100  
60  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -300mA  
C
V
V
(sat)  
(on)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
Base-Emitter On Voltage  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.7  
-1.2  
V
V
CE  
C
B
V
= -1V, I = -300mA  
C
BE  
CE  
f
Current Gain Bandwidth Product  
V
= -5V, I = -10mA  
100  
MHz  
T
CE  
C
f=50MHz  
C
Output Capacitance  
V
= -10V, f=1MHz  
12  
pF  
ob  
CB  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. A2, August 2002  
123456

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BC80740MTF 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BCW68GLT1G ONSEMI

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 General Purpose Transistor PNP Silicon
BCW70LT1G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistor
BC807-40LT3G ONSEMI

功能相似

 General Purpose Transistors(PNP Silicon)

与BC80740MTF相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC807-40Q DIODES

获取价格

 		PNP, 45V, 0.5A, SOT23
BC807-40Q YANGJIE

获取价格

 		SOT-23
BC807-40-Q NEXPERIA

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 		45 V, 500 mA PNP general-purpose transistorsProduction
BC807-40Q-7-F DIODES

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 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), PNP
BC807-40QA NEXPERIA

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BC807-40QAZ ETC

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 		TRANS PNP 45V 0.5A DFN1010D-3
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