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BC807-40W

更新时间： 2024-02-22 00:17:33
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 晶体晶体管开关光电二极管IOT
页数 文件大小 规格书
4页 274K
描述
PNP Silicon General Purpose Transistors

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BC807-40W 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Transferred零件包装代码：SC-70
包装说明：SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3针数：3
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.95风险等级：5.14
最大集电极电流 (IC)：0.5 A基于收集器的最大容量：10 pF
集电极-发射极最大电压：45 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：250JESD-30 代码：R-PDSO-G3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE峰值回流温度（摄氏度）：260
极性/信道类型：PNP认证状态：Not Qualified
表面贴装：YES端子面层：TIN
端子形式：GULL WING端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：40晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
VCEsat-Max：0.7 VBase Number Matches：1

BC807-40W 数据手册

 浏览型号BC807-40W的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC807-40W的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC807-40W的Datasheet PDF文件第4页 
BC807-16W  
BC807-25W  
BC807-40W  
M C C  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
·
Lead Free Finish/RoHS Compliant ("P" Suffix designates  
PNP Silicon  
General Purpose  
Transistors  
RoHS Compliant. See ordering information)  
·
Epoxy meets UL 94 V-0 flammability rating  
·
·
Moisure Sensitivity Level 1  
Capable of 0.2Watts of Power Dissipation.  
·
•
Collector-current 0.5A  
Operating and storage junction temperature range: -55OC to +150OC  
Mechanical Data  
SOT-323  
•
•
•
•
Case: SOT-323 Molded Plastic  
A
D
C
Terminals: Solderable per MIL-STD-202, Method 208  
Weight: 0.005 grams (approx.)  
Device Marking:  
BC807-16W  
BC807-25W  
BC807-40W  
5A  
5B  
5C  
C
B
Electrical Characteristics @ 25OC Unless Otherwise Specified  
E
B
F
E
Symbol  
Parameter  
Min  
Max  
Units  
OFF CHARACTERISTICS  
V(BR)CEO  
V(BR)CBO  
V(BR)EBO  
ICBO  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
45  
50  
5.0  
---  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
H
G
J
(I =10mAdc, IB=0)  
C
Collector-Base Breakdown Voltage  
K
(I =10uAdc, IE=0)  
C
DIMENSIONS  
Collector-Emitter Breakdown Voltage  
---  
Vdc  
(I =1.0uAdc, IC=0)  
E
INCHES  
MM  
Collector Cutoff Current  
(VCB=20Vdc,IE=0)  
Collector Cutoff Current  
(VCE=20V dc,IB=0)  
Emitter Cutoff Current  
(VEB=5.0Vdc, IC=0)  
0.1  
0.2  
0.1  
uAdc  
uAdc  
uAdc  
DIM  
A
B
C
D
E
MIN  
.071  
.045  
.079  
MAX  
.087  
.053  
.087  
MIN  
1.80  
1.15  
2.00  
MAX  
2.20  
1.35  
2.20  
NOTE  
ICEO  
.026 Nominal  
0.65Nominal  
1.20  
.047  
.055  
.016  
.004  
.039  
.010  
.016  
1.40  
.40  
.100  
1.00  
.250  
.40  
IEBO  
F
.012  
.000  
.035  
.004  
.012  
.30  
.000  
.90  
.100  
.30  
G
H
J
ON CHARACTERISTICS  
hFE(1)  
K
DC Current Gain  
(IC=100mAdc, VCE=1.0Vdc)  
BC807-16W  
BC807-25W  
BC807-40W  
100  
160  
250  
250  
400  
600  
---  
---  
---  
0.70  
hFE(2)  
VCE(sat)  
VBE(on)  
DC Current Gain  
(IC=500mAdc, VCE=1.0Vdc)  
Collector-Emitter Saturation Voltage  
(IC=500mAdc, IB=50mAdc)  
Base-Emitter Voltage  
40  
---  
---  
---  
---  
Vdc  
Vdc  
0.90  
0.7  
1.2  
1.90  
MM  
(IC=500mAdc,VCE=1Vdc)  
SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS  
0.65  
fT  
Current-Gain-Bandwidth Product  
80  
---  
MHz  
(VCE=5.0V, f=100MHz, I C=10mA)  
Collector output capacitance  
(VCB=10V, f=1MHz)  
0.65  
Cob  
10  
pF  
www.mccsemi.com  
1 of 4  
Revision: A  
2011/01/01  
1234

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与BC807-40W相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC807-40W,115 ETC

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 		TRANS PNP 45V 0.5A SOT323
BC807-40W,135 NXP

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 		BC807; BC807W; BC327 - 45 V, 500 mA PNP general-purpose transistors SC-70 3-Pin
BC807-40W/A2,115 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR,BJT,PNP,45V V(BR)CEO,500MA I(C),SOT-323
BC807-40W/T3 NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 45 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, PLASTIC, SC-70, 3 PIN, BIP Gene
BC807-40W-7 DIODES

获取价格

 		PNP SURFACE MOUNT TRANSISTOR
BC807-40W-AU PANJIT

获取价格

 		SOT-323
BC807-40W-E6327 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC80740WE6327HTSA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,
BC807-40W-E6433 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.5A I(C), 45V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon
BC80740WE6433HTMA1 INFINEON

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor,

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