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BC328 PDF预览

BC328

更新时间： 2024-11-06 22:48:15
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 晶体小信号双极晶体管开关
页数 文件大小 规格书
4页 51K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BC328 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.34Is Samacsys：N
最大集电极电流 (IC)：0.8 A集电极-发射极最大电压：25 V
配置：SINGLE最小直流电流增益 (hFE)：40
JEDEC-95代码：TO-92JESD-30 代码：O-PBCY-T3
JESD-609代码：e3元件数量：1
端子数量：3最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：ROUND
封装形式：CYLINDRICAL峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE
极性/信道类型：PNP最大功率耗散 (Abs)：0.625 W
认证状态：Not Qualified子类别：Other Transistors
表面贴装：NO端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：THROUGH-HOLE端子位置：BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICON标称过渡频率 (fT)：100 MHz
Base Number Matches：1

BC328 数据手册

 浏览型号BC328的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BC328的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BC328的Datasheet PDF文件第4页 
BC327/328  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC337/BC338  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC327  
: BC328  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
-50  
-30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC327  
: BC328  
-45  
-25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
-800  
V
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
mA  
mW  
°C  
C
P
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC327  
: BC328  
-45  
-25  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -0.1mA, V =0  
C
BE  
: BC327  
: BC328  
-50  
-30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I = -10µA, I =0  
-5  
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: BC327  
CES  
V
V
= -45V, V =0  
= -25V, V =0  
BE  
-2  
-2  
-100  
-100  
nA  
nA  
CE  
CE  
BE  
: BC328  
h
h
DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -100mA  
100  
40  
630  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -300mA  
C
V
V
(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage  
(on) Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.7  
-1.2  
V
V
CE  
C
B
V
= -1V, I = -300mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
V
V
= -5V, I = -10mA, f=20MHz  
100  
12  
MHz  
pF  
T
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
16  
100 ~ 250  
60-  
25  
40  
h
h
160 ~ 400  
100-  
250 ~ 630  
170-  
FE1  
FE2  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, August 2002  
1234

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与BC328相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC328/A ETC

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 		PNP General Purpose Transistors
BC328/D10Z TI

获取价格

 		800mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC328/D11Z TI

获取价格

 		800mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC328/D28Z TI

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 		800mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC328/D29Z TI

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 		800mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC328/D75Z TI

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 		800mA, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC328/D81Z TI

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 		800mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC328/D89Z TI

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 		800mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92
BC328/E6 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
BC328/E7 ETC

获取价格

 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA

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