Datasheet > 晶体管 > 小信号双极晶体管> BC328-16-AP-HF

BC328-16-AP-HF

更新时间： 2024-02-16 17:08:22

品牌	Logo	应用领域
美微科 - MCC		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
3页	304K
描述
Small Signal Bipolar Transistor,

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BC328-16-AP-HF 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.35
Is Samacsys：	N	最大集电极电流 (IC)：	0.5 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	ROUND
封装形式：	CYLINDRICAL	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	80 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

BC328-16-AP-HF 数据手册

BC327-16/25/40

BC328-16/25/40

M C C

ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents

20736 Marilla Street Chatsworth

ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ

ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ

$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ

Micro Commercial Components

Features

PNP

Plastic-Encapsulate

Transistors

xꢀ Capable of 0.625Watts of Power Dissipation.

xꢀ Collector-current : -0.8A

xꢀ Collector-base Voltage :V_CBO=-50V(BC327) , V_CBO=-30V(BC328)

Case Material: Molded Plastic. UL Flammability

Classification Rating 94V-0 and MSL rating 1

Lead Free Finish/Rohs Compliant ("P"Suffix designates

Compliant. See ordering information)

•

Maximum Ratings

xꢀ Storage temperature : -55к to +150к

TO-92

xꢀ Operating temperature : -55к to +150к

Electrical Characteristics @ 25к Unless Otherwise Specified

Symbol

Parameter

Min

Max

Units

OFF CHARACTERISTICS

V_(BR)CEO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

BC327

BC328

---

Vdc

(I_C=-10mAdc, I_B=0)

-45

-25

V_(BR)CBO

Collector-Base Breakdown Voltage

(I_C=-100µAdc, I_E=0) BC327

BC328

---

Vdc

-50

-30

-5.0

V_(BR)EBO

I_CBO

Collector-Emitter Breakdown Voltage

(I_E=-10µAdc, I_C=0)

Vdc

Collector Cutoff Current

µAdc

(V_CB=-45Vdc,I_E=0)

(V_CB=-25Vdc,I_E=0)

Collector Cutoff Current

(V_CE=-40Vdc,I_B=0)

(V_CE=-20Vdc,I_B=0)

Emitter Cutoff Current

(V_EB=-4.0Vdc, I_C=0)

BC327

BC328

---

-0.1

I_CEO

µAdc

BC327

BC328

---

-0.2

-0.1

I_EBO

ON CHARACTERISTICS

h_FE(1)

h_FE(2)

V_CE(sat)

V_BE(sat)

DC Current Gain

(I_C=-100mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

DC Current Gain

(I_C=-300mAdc, V_CE=-1.0Vdc)

100

630

---

1.COLLECTOR

2.BASE

---

Collector-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc, I_B=-50mAdc)

-0.7

Vdc

3.EMITTER

Base-Emitter Saturation Voltage

(I_C=-500mAdc,I_B=-50mAdc)

---

-1.2

---

Vdc

SMALL SIGNAL CHARACTERISTICS

f_T

Current-Gain-Bandwidth Product

(V_CE=5.0V, f=100MHz, I_C=10mA)

260

MHz

DIMENSIONS

INCHES

MIN

.170

.550

.010

.130

.010

hFE CLASSIFICATION

Classification

h_FE(1)

DIM

MAX

MIN

4.33

4.30

13.97

0.36

3.30

2.44

MAX

4.83

14.97

0.56

3.96

2.64

NOTE

.190

.590

.020

.160

.104

100~250

A 011

160~400

B 011

250~630

Marking Code

C 011

www.mccsemi.com

Revision: 6

2008/08/27

1 of 3

12 3

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BC328-16BK	DIOTEC	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
BC328-16-BP	MCC	PNP Plastic-Encapsulate Transistors	获取价格
BC32816BU	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,	获取价格
BC328-16-BULK	VISHAY	Transistor	获取价格
BC328-16D26Z	FAIRCHILD	Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92	获取价格

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