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BC32825

更新时间： 2024-01-05 15:58:58

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飞兆/仙童 - FAIRCHILD		晶体晶体管
页数	文件大小	规格书
4页	51K
描述
PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR

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BC32825 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TO-92	包装说明：	LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数：	3	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.21.00.95
风险等级：	5.33	最大集电极电流 (IC)：	0.8 A
集电极-发射极最大电压：	25 V	配置：	SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：	100	JEDEC-95代码：	TO-92
JESD-30 代码：	O-PBCY-T3	JESD-609代码：	e3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT APPLICABLE	极性/信道类型：	PNP
最大功率耗散 (Abs)：	0.625 W	认证状态：	Not Qualified
子类别：	Other Transistors	表面贴装：	NO
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT APPLICABLE
晶体管应用：	SWITCHING	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	100 MHz	Base Number Matches：	1

BC32825 数据手册

BC327/328

Switching and Amplifier Applications

•

Suitable for AF-Driver stages and low power output stages

Complement to BC337/BC338

TO-92

1. Collector 2. Base 3. Emitter

PNP Epitaxial Silicon Transistor

Absolute Maximum Ratings ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Value

Units

Collector-Emitter Voltage

: BC327

: BC328

Collector-Emitter Voltage

CES

-50

-30

CEO

EBO

: BC327

: BC328

-45

-25

Emitter-Base Voltage

-5

-800

Collector Current (DC)

Collector Power Dissipation

Junction Temperature

Storage Temperature

°C

625

150

-55 ~ 150

°C

STG

Electrical Characteristics ^{T =25°C unless otherwise noted}

Symbol

Parameter

Test Condition

Min.

Typ.

Max.

Units

Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -10mA, I =0

CEO

CES

EBO

: BC327

: BC328

-45

-25

Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -0.1mA, V =0

: BC327

: BC328

-50

-30

Emitter-Base Breakdown Voltage

I = -10µA, I =0

-5

Collector Cut-off Current

: BC327

CES

= -45V, V =0

= -25V, V =0

-2

-100

: BC328

DC Current Gain

= -1V, I = -100mA

100

630

FE1

FE2

= -1V, I = -300mA

(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage

(on) Base-Emitter On Voltage

Current Gain Bandwidth Product

Output Capacitance

I = -500mA, I = -50mA

-0.7

-1.2

= -1V, I = -300mA

= -5V, I = -10mA, f=20MHz

100

MHz

= -10V, I =0, f=1MHz

Classification

100 ~ 250

60-

160 ~ 400

100-

250 ~ 630

170-

FE1

FE2

Rev. B1, August 2002

12 3 4

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