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BC328-25RLRE

更新时间： 2024-02-07 02:00:03
品牌 Logo 应用领域
安森美 - ONSEMI 放大器晶体管
页数 文件大小 规格书
34页 347K
描述
TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN, BIP General Purpose Small Signal

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BC328-25RLRE 技术参数

是否无铅：含铅是否Rohs认证：不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TO-92
包装说明：CYLINDRICAL, O-PBCY-T3针数：3
Reach Compliance Code：compliantECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.21.00.75风险等级：5.35
Is Samacsys：N最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：160JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e0
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：225极性/信道类型：PNP
认证状态：Not Qualified表面贴装：NO
端子面层：TIN LEAD端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
晶体管应用：AMPLIFIER晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：260 MHzBase Number Matches：1

BC328-25RLRE 数据手册

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SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA  
PNP Silicon  
COLLECTOR  
1
2
BASE  
3
EMITTER  
1
MAXIMUM RATINGS  
2
3
Rating  
Collector–Emitter Voltage  
Collector–Base Voltage  
Emitter–Base Voltage  
Symbol  
BC327  
–45  
BC328  
–25  
Unit  
Vdc  
CASE 29–04, STYLE 17  
TO–92 (TO–226AA)  
V
CEO  
V
CBO  
V
EBO  
–50  
–30  
Vdc  
–5.0  
Vdc  
Collector Current — Continuous  
I
C
–800  
mAdc  
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
625  
5.0  
mW  
mW/°C  
A
Total Device Dissipation @ T = 25°C  
Derate above 25°C  
P
D
1.5  
12  
Watt  
mW/°C  
C
Operating and Storage Junction  
Temperature Range  
T , T  
–55 to +150  
°C  
J
stg  
THERMAL CHARACTERISTICS  
Characteristic  
Symbol  
Max  
200  
Unit  
°C/W  
°C/W  
Thermal Resistance, Junction to Ambient  
Thermal Resistance, Junction to Case  
R
R
JA  
JC  
83.3  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)  
A
Characteristic  
Symbol  
Min  
Typ  
Max  
Unit  
OFF CHARACTERISTICS  
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –10 mA, I = 0)  
V
Vdc  
Vdc  
(BR)CEO  
BC327  
BC328  
–45  
–25  
—
—
—
—
C
B
Collector–Emitter Breakdown Voltage  
(I = –100 µA, I = 0)  
V
(BR)CES  
(BR)EBO  
BC327  
BC328  
–50  
–30  
—
—
—
—
C
E
Emitter–Base Breakdown Voltage  
(I = –10 A, I = 0)  
V
–5.0  
—
—
Vdc  
E
C
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
CBO  
(V  
CB  
(V  
CB  
= –30 V, I = 0)  
BC327  
BC328  
—
—
—
—
–100  
–100  
E
= –20 V, I = 0)  
E
Collector Cutoff Current  
I
nAdc  
nAdc  
CES  
(V  
CE  
(V  
CE  
= –45 V, V  
= –25 V, V  
= 0)  
= 0)  
BC327  
BC328  
—
—
—
—
–100  
–100  
BE  
BE  
Emitter Cutoff Current  
(V = –4.0 V, I = 0)  
I
—
—
–100  
EBO  
EB  
C
Motorola Small–Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data  
2–91  
1234567...34

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与BC328-25RLRE相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC328-25RLRF MOTOROLA

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 		暂无描述
BC328-25RLRM ONSEMI

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 		800mA, 25V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
BC328-25RLRP MOTOROLA

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92
BC328-25-T/R NXP

获取价格

 		TRANSISTOR 500 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, BIP General Purpose Smal
BC32825TA FAIRCHILD

获取价格

 		Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,
BC328-25ZL1 ONSEMI

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 		TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
BC32840 FAIRCHILD

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 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BC328-40 INFINEON

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 		PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter
BC328-40 DIOTEC

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 		PNP Plastic-Encapsulate Transistors

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