BC328-25

更新时间： 2024-01-06 17:24:01

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安森美 - ONSEMI		晶体放大器晶体管
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描述
Amplifier Transistors(PNP Silicon)

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BC328-25 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	CYLINDRICAL, O-PBCY-T3
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.75	风险等级：	5.59
最大集电极电流 (IC)：	0.8 A	集电极-发射极最大电压：	25 V
配置：	SINGLE	最小直流电流增益 (hFE)：	160
JEDEC-95代码：	TO-92	JESD-30 代码：	O-PBCY-T3
元件数量：	1	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	ROUND	封装形式：	CYLINDRICAL
极性/信道类型：	PNP	功耗环境最大值：	1.5 W
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	NO
端子形式：	THROUGH-HOLE	端子位置：	BOTTOM
晶体管应用：	AMPLIFIER	晶体管元件材料：	SILICON
标称过渡频率 (fT)：	260 MHz	VCEsat-Max：	0.7 V
Base Number Matches：	1

BC328-25 数据手册

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by BC327/D

SEMICONDUCTOR TECHNICAL DATA

PNP Silicon

COLLECTOR

BASE

EMITTER

MAXIMUM RATINGS

Rating

Collector–Emitter Voltage

Collector–Base Voltage

Emitter–Base Voltage

Symbol

BC327 BC328

Unit

Vdc

CASE 29–04, STYLE 17

TO–92 (TO–226AA)

CEO

CBO

EBO

–45

–50

–25

–30

Vdc

–5.0

Vdc

Collector Current — Continuous

–800

mAdc

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

625

5.0

mW/°C

Total Device Dissipation @ T = 25°C

Derate above 25°C

1.5

Watt

mW/°C

Operating and Storage Junction

Temperature Range

T , T

–55 to +150

°C

stg

THERMAL CHARACTERISTICS

Characteristic

Symbol

Max

200

Unit

°C/W

Thermal Resistance, Junction to Ambient

Thermal Resistance, Junction to Case

83.3

ELECTRICAL CHARACTERISTICS (T = 25°C unless otherwise noted)

Characteristic

Symbol

Min

Typ

Max

Unit

OFF CHARACTERISTICS

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = –10 mA, I = 0)

Vdc

(BR)CEO

BC327

BC328

–45

–25

—

Collector–Emitter Breakdown Voltage

(I = –100 µA, I = 0)

(BR)CES

(BR)EBO

BC327

BC328

–50

–30

—

Emitter–Base Breakdown Voltage

(I = –10 A, I = 0)

–5.0

—

Vdc

Collector Cutoff Current

nAdc

CBO

= –30 V, I = 0)

BC327

BC328

—

–100

= –20 V, I = 0)

Collector Cutoff Current

nAdc

CES

= –45 V, V

= –25 V, V

= 0)

BC327

BC328

—

–100

Emitter Cutoff Current

(V = –4.0 V, I = 0)

—

–100

EBO

M_Mot_oo_tor_ro_ol_la_a,S_Inm_c.a₁₉ll₉–₆Signal Transistors, FETs and Diodes Device Data

12 3 4

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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