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BC32816TA

更新时间： 2024-11-21 20:56:19
品牌 Logo 应用领域
飞兆/仙童 - FAIRCHILD 开关晶体管
页数 文件大小 规格书
4页 47K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92, LEAD FREE, TO-92, 3 PIN

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BC32816TA 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TO-92包装说明：LEAD FREE, TO-92, 3 PIN
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.21.00.95
风险等级：5.38最大集电极电流 (IC)：0.8 A
集电极-发射极最大电压：25 V配置：SINGLE
最小直流电流增益 (hFE)：60JEDEC-95代码：TO-92
JESD-30 代码：O-PBCY-T3JESD-609代码：e3
元件数量：1端子数量：3
最高工作温度：150 °C封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：ROUND封装形式：CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE极性/信道类型：PNP
最大功率耗散 (Abs)：0.625 W认证状态：Not Qualified
子类别：Other Transistors表面贴装：NO
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：BOTTOM处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
晶体管应用：SWITCHING晶体管元件材料：SILICON
标称过渡频率 (fT)：100 MHzBase Number Matches：1

BC32816TA 数据手册

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BC327/328  
Switching and Amplifier Applications  
•
•
Suitable for AF-Driver stages and low power output stages  
Complement to BC337/BC338  
TO-92  
1. Collector 2. Base 3. Emitter  
1
PNP Epitaxial Silicon Transistor  
Absolute Maximum Ratings T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Value  
Units  
V
V
V
Collector-Emitter Voltage  
: BC327  
: BC328  
Collector-Emitter Voltage  
CES  
-50  
-30  
V
V
CEO  
EBO  
: BC327  
: BC328  
-45  
-25  
V
V
Emitter-Base Voltage  
-5  
-800  
V
I
Collector Current (DC)  
Collector Power Dissipation  
Junction Temperature  
Storage Temperature  
mA  
mW  
°C  
C
P
625  
C
T
T
150  
J
-55 ~ 150  
°C  
STG  
Electrical Characteristics T =25°C unless otherwise noted  
a
Symbol  
Parameter  
Test Condition  
Min.  
Typ.  
Max.  
Units  
BV  
BV  
BV  
Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -10mA, I =0  
CEO  
CES  
EBO  
C
B
: BC327  
: BC328  
-45  
-25  
V
V
Collector-Emitter Breakdown Voltage I = -0.1mA, V =0  
C
BE  
: BC327  
: BC328  
-50  
-30  
V
V
Emitter-Base Breakdown Voltage  
I = -10µA, I =0  
-5  
V
E
C
I
Collector Cut-off Current  
: BC327  
CES  
V
V
= -45V, V =0  
= -25V, V =0  
BE  
-2  
-2  
-100  
-100  
nA  
nA  
CE  
CE  
BE  
: BC328  
h
h
DC Current Gain  
V
V
= -1V, I = -100mA  
100  
40  
630  
FE1  
FE2  
CE  
CE  
C
= -1V, I = -300mA  
C
V
V
(sat) Collector-Emitter Saturation Voltage  
(on) Base-Emitter On Voltage  
Current Gain Bandwidth Product  
Output Capacitance  
I = -500mA, I = -50mA  
-0.7  
-1.2  
V
V
CE  
C
B
V
= -1V, I = -300mA  
C
BE  
CE  
CE  
CB  
f
V
V
= -5V, I = -10mA, f=20MHz  
100  
12  
MHz  
pF  
T
C
C
= -10V, I =0, f=1MHz  
ob  
E
h
Classification  
FE  
Classification  
16  
100 ~ 250  
60-  
25  
40  
h
h
160 ~ 400  
100-  
250 ~ 630  
170-  
FE1  
FE2  
©2002 Fairchild Semiconductor Corporation  
Rev. B1, August 2002  
1234

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BC32816TA 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
BC32816BU FAIRCHILD

完全替代

 Small Signal Bipolar Transistor, 0.8A I(C), 25V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, TO-92,

与BC32816TA相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BC328-16ZL1 ONSEMI

获取价格

 		TRANSISTOR 800 mA, 25 V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, TO-92, PLASTIC, TO-226AA, 3 PIN
BC32825 FAIRCHILD

获取价格

 		PNP EPITAXIAL SILICON TRANSISTOR
BC328-25 MCC

获取价格

 		PNP Plastic-Encapsulate Transistors
BC328-25 MOTOROLA

获取价格

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BC328-25 ONSEMI

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BC328-25 INFINEON

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 		PNP Silicon AF Transistors (High current gain High collector current Low collector-emitter
BC328-25 DIOTEC

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 		Si-Epitaxial PlanarTransistors
BC328-25/E6 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
BC328-25/E7 ETC

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 		TRANSISTOR | BJT | PNP | 25V V(BR)CEO | 800MA I(C) | TO-226AA
BC328-25-AP MCC

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