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BAW78DE6327

更新时间: 2024-11-21 14:47:59
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英飞凌 - INFINEON 二极管
页数 文件大小 规格书
6页 64K
描述
Rectifier Diode, 1 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon, SOT-89, 3 PIN

BAW78DE6327 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete零件包装代码:SOT-89
包装说明:R-PSSO-F3针数:3
Reach Compliance Code:compliantECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.80风险等级:5.29
外壳连接:CATHODE配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1.6 VJESD-30 代码:R-PSSO-F3
JESD-609代码:e3湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:3
最高工作温度:150 °C最大输出电流:1 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE峰值回流温度(摄氏度):260
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:400 V最大反向恢复时间:1 µs
子类别:Rectifier Diodes表面贴装:YES
端子面层:MATTE TIN端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

BAW78DE6327 数据手册

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BAW78.../BAW79...  
Silicon Switching Diodes  
Switching applications  
High breakdown voltage  
1)  
Pb-free (RoHS compliant) package  
Qualified according AEC Q101  
BAW78D  
BAW79D  
2
2
1
2
3
1
2
3
Type  
Package  
Configuration  
Marking  
BAW78D  
BAW79D  
SOT89  
SOT89  
single  
GD  
GH  
common cathode  
Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified  
A
Parameter  
Symbol  
Value  
400  
400  
1
Unit  
V
Diode reverse voltage  
Peak reverse voltage  
Forward current  
V
V
R
RM  
A
I
I
I
I
I
F
1
Peak forward current  
FM  
FM  
FS  
Peak forward current  
1
10  
-
Surge forward current, t = 1 µs  
Non-repetitive peak surge forward current  
Total power dissipation  
FSM  
W
P
tot  
BAW78D, T 125°C  
1
1
S
BAW79D, T 115°C  
S
150  
°C  
Junction temperature  
Storage temperature  
T
T
j
-65 ... 150  
stg  
1Pb-containing package may be available upon special request  
2007-04-20  
1

BAW78DE6327 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
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完全替代

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