BAW78M

更新时间： 2024-01-29 17:24:24

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管开关光电二极管
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4页	36K
描述
Silicon Switching Diode (Switching applications High breakdown voltage)

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BAW78M 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	SCT-595, 5 PIN	针数：	5
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.48
Is Samacsys：	N	外壳连接：	CATHODE
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	RECTIFIER DIODE	最大正向电压 (VF)：	2 V
JESD-30 代码：	R-PDSO-G5	JESD-609代码：	e0
最大非重复峰值正向电流：	105 A	元件数量：	2
端子数量：	5	最高工作温度：	150 °C
最大输出电流：	1 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	最大重复峰值反向电压：	400 V
最大反向恢复时间：	1 µs	子类别：	Rectifier Diodes
表面贴装：	YES	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

BAW78M 数据手册

BAW 78M

Silicon Switching Diode

Preliminary data

• Switching applications

• High breakdown voltage

VPW05980

Type

Marking Ordering Code Pin Configuration

GDs

Package

BAW 78M

Q62702-A3471 1 = A 2 = C 3 n.c. 4 n.c. 5 = C SCT-595

Maximum Ratings

Parameter

Symbol

Values

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

400

Peak forward current

Surge forward current, t = 1 µs

Total power dissipation, T ≤ 110 °C

tot

Junction temperature

Storage temperature

150

°C

- 65 ...+150

stg

Thermal Resistance

Junction - ambient

K/W

≤ 95

≤ 40

thJA

thJS

Junction - soldering point

1) Package mounted on epoxy pcb 40mm x 40mm x 1.5mm / 6cm Cu

Semiconductor Group

Jul-27-1998

1998-11-01

Semiconductor Group

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