5秒后页面跳转
| 生命周期： | Obsolete | 零件包装代码： | DO-35 |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | 针数： | 2 |
| Reach Compliance Code： | unknown | ECCN代码： | EAR99 |
| HTS代码： | 8541.10.00.70 | 风险等级： | 5.83 |
| 外壳连接： | ISOLATED | 配置： | SINGLE |
| 二极管元件材料： | SILICON | 二极管类型： | RECTIFIER DIODE |
| 最大正向电压 (VF)： | 1.25 V | JEDEC-95代码： | DO-35 |
| JESD-30 代码： | O-LALF-W2 | 最大非重复峰值正向电流： | 6 A |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 2 |
| 最高工作温度： | 200 °C | 最大输出电流： | 0.4 A |
| 封装主体材料： | GLASS | 封装形状： | ROUND |
| 封装形式： | LONG FORM | 最大功率耗散： | 0.45 W |
| 认证状态： | Not Qualified | 最大重复峰值反向电压： | 90 V |
| 最大反向电流： | 0.1 µA | 最大反向恢复时间： | 0.05 µs |
| 表面贴装： | NO | 技术： | AVALANCHE |
| 端子形式： | WIRE | 端子位置： | AXIAL |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAX12116 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAX12136 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAX12153 | NXP |
获取价格 |
DIODE 0.4 A, 90 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode |
|
| BAX12A | EIC |
获取价格 |
CONTROLLED AVALANCHE DIODES |
|
| BAX12A/A52R | ETC |
获取价格 |
DIODE CONTROLLED AVALANCHE |
|
| BAX12T/R | PHILIPS |
获取价格 |
Rectifier Diode, 1 Element, 0.4A, 90V V(RRM), |
|
| BAX13 | FAIRCHILD |
获取价格 |
High Speed Switching Diode |
|
| BAX13 | NJSEMI |
获取价格 |
Diode Switching 50V 0.3A 2-Pin DO-35 |
|
| BAX13.TR | TI |
获取价格 |
50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAX13T26A | TI |
获取价格 |
暂无描述 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
