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| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 包装说明： | O-LALF-W2 | Reach Compliance Code： | unknown |
| ECCN代码： | EAR99 | 风险等级： | 5.56 |
| Is Samacsys： | N | 外壳连接： | ISOLATED |
| 配置： | SINGLE | 二极管元件材料： | SILICON |
| 二极管类型： | RECTIFIER DIODE | 最大正向电压 (VF)： | 1 V |
| JEDEC-95代码： | DO-35 | JESD-30 代码： | O-LALF-W2 |
| JESD-609代码： | e0 | 元件数量： | 1 |
| 端子数量： | 2 | 最高工作温度： | 175 °C |
| 最大输出电流： | 0.2 A | 封装主体材料： | GLASS |
| 封装形状： | ROUND | 封装形式： | LONG FORM |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大重复峰值反向电压： | 150 V | 最大反向恢复时间： | 0.12 µs |
| 子类别： | Rectifier Diodes | 表面贴装： | NO |
| 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式： | WIRE |
| 端子位置： | AXIAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| BAX16.TR | TI |
获取价格 |
150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAX16_08 | FAIRCHILD |
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High Voltage General Purpose Diode |
|
| BAX16T26A | TI |
获取价格 |
150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAX16T26R | TI |
获取价格 |
150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAX16T50A | TI |
获取价格 |
150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAX16T50R | TI |
获取价格 |
150V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35 |
|
| BAX16TR | ONSEMI |
获取价格 |
小信号二极管 |
|
| BAX17 | NJSEMI |
获取价格 |
D0-35 |
|
| BAX18 | SYNSEMI |
获取价格 |
SWITCHING DIODE |
|
| BAX18 | NXP |
获取价格 |
General purpose diode |
|
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