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BAX18116

更新时间: 2024-11-13 20:58:07
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
5页 117K
描述
DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode

BAX18116 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
外壳连接:ISOLATED配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码:DO-35JESD-30 代码:O-LALF-W2
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:200 °C最大输出电流:0.5 A
封装主体材料:GLASS封装形状:ROUND
封装形式:LONG FORM最大功率耗散:0.45 W
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BAX18116 数据手册

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