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BAX18

更新时间: 2024-02-14 23:31:34
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恩智浦 - NXP 二极管
页数 文件大小 规格书
7页 36K
描述
General purpose diode

BAX18 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8541.10.00.70风险等级:5.76
其他特性:LEAKAGE CURRENT IS NOT AT 25 DEG C外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2最高工作温度:200 °C
最大输出电流:0.5 A封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
最大功率耗散:0.45 W认证状态:Not Qualified
参考标准:IEC-134最大重复峰值反向电压:75 V
最大反向恢复时间:0.05 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BAX18 数据手册

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DISCRETE SEMICONDUCTORS  
DATA SHEET  
BAX18  
General purpose diode  
1996 Sep 18  
Product specification  
Supersedes data of April 1996  

与BAX18相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAX18/A52A NXP

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BAX18116 NXP

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DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
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DIODE 0.5 A, 75 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
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BAX18T/R NXP

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1A Variable/Fixed Output LDO Regulators
BAXXBC0_10 ROHM

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