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BAX12A PDF预览

BAX12A

更新时间： 2024-09-25 06:41:31
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2页 111K
描述
CONTROLLED AVALANCHE DIODES

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BAX12A 技术参数

是否Rohs认证： 符合生命周期：Active
零件包装代码：DO-35包装说明：O-LALF-W2
针数：2Reach Compliance Code：compliant
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.70
风险等级：5.46Is Samacsys：N
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JEDEC-95代码：DO-35JESD-30 代码：O-LALF-W2
元件数量：1端子数量：2
最高工作温度：200 °C最大输出电流：0.4 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
最大功率耗散：0.45 W最大重复峰值反向电压：90 V
最大反向恢复时间：0.05 µs表面贴装：NO
技术：AVALANCHE端子形式：WIRE
端子位置：AXIAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
Base Number Matches：1

BAX12A 数据手册

 浏览型号BAX12A的Datasheet PDF文件第2页 
Certificate TH97/10561QM  
Certificate TW00/17276EM  
CONTROLLED AVALANCHE DIODES  
DO - 35  
BAX12, BAX12A  
FEATURES :  
* Switching speed: max. 50 ns  
* Continuous reverse voltage: max. 90V  
* Repetitive peak reverse voltage: max. 90V  
* Repetitive peak forward current: max.800 mA  
* Repetitive peak reverse current: max.600mA  
* Pb / RoHS Free  
1.00 (25.4)  
0.079(2.0 )max.  
min.  
0.150 (3.8)  
max.  
MECHANICAL DATA :  
* Case : DO-35 Glass Case  
1.00 (25.4)  
* Lead : Axial lead solderable per MIL-STD-202,  
Method 208 guaranteed  
0.020 (0.52)max.  
min.  
* Polarity : Color band denotes cathode end  
* Mounting position : Any  
* Weight : 0.13 gram (approximately)  
Dimensions in inches and ( millimeters )  
MAXIMUM RATINGS  
Parameter  
Symbol  
VRRM  
VR  
Value  
90  
Unit  
V
Repetitive Peak Reverse Voltage  
Continuous Reverse Voltage  
Continuous Forward Current  
Repetitive Peak Forward Current  
90  
V
IF  
400  
mA  
A
IFRM  
800  
Non-repetitive Peak Forward Current  
Square wave: Tj = 25 °C prior to surge  
t = 1 μs  
55  
IFSM  
A
t = 100 μs  
15  
t = 10 ms  
9
450  
Ptot  
IRRM  
TJ  
Total Power Dissipation , Ta = 25 °C  
Repetitive Peak Reverse Current  
Junction Temperature  
mW  
mA  
°C  
600  
200  
TS  
Storage Temperature Range  
-65 to + 200  
°C  
Note : (1) Device mounted on an FR4 printed circuit-board; lead length 10 mm.  
ELECTRICAL CHARACTERISTICS (TJ = 25°C unless otherwise noted)  
Test Condition  
IR = 1mA  
Min.  
Max.  
170  
170  
100  
100  
1.25  
35  
Unit  
V
Parameter  
Reverse Avalanche  
Symbol  
BAX12  
120  
V(BR)R  
IR = 0.1mA  
Breakdown Voltage  
BAX12A  
120  
V
VR = 90 V  
-
-
-
-
nA  
μA  
V
IR  
Reverse Current  
VR = 90 V, Tj = 150 °C  
IF = 400 mA  
VF  
Forward Voltage  
f = 1MHz ; VR = 0  
IF = 30mA , IR = 30mA  
RL = 100 Ω measured at  
IR = 3 mA  
Diode Capacitance  
Cd  
pF  
Reverse Recovery Time  
Trr  
-
50  
ns  
Page 1 of 2  
Rev. 01 : October 15, 2007  
12

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAX12A/A52R ETC

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 		DIODE CONTROLLED AVALANCHE
BAX12T/R PHILIPS

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BAX13 FAIRCHILD

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 		High Speed Switching Diode
BAX13 NJSEMI

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 		Diode Switching 50V 0.3A 2-Pin DO-35
BAX13.TR TI

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 		50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAX13T26A TI

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 		暂无描述
BAX13T26R TI

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 		50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAX13T50A TI

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BAX14 NXP

获取价格

 		General purpose diode

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