5秒后页面跳转
BAX13.TR PDF预览

BAX13.TR

更新时间: 2024-11-25 14:41:03
品牌 Logo 应用领域
德州仪器 - TI 二极管
页数 文件大小 规格书
1页 21K
描述
50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35

BAX13.TR 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:O-LALF-W2
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
风险等级:5.76外壳连接:ISOLATED
配置:SINGLE二极管元件材料:SILICON
二极管类型:RECTIFIER DIODEJEDEC-95代码:DO-35
JESD-30 代码:O-LALF-W2元件数量:1
端子数量:2封装主体材料:GLASS
封装形状:ROUND封装形式:LONG FORM
认证状态:Not Qualified最大重复峰值反向电压:50 V
最大反向恢复时间:0.006 µs表面贴装:NO
端子形式:WIRE端子位置:AXIAL
Base Number Matches:1

BAX13.TR 数据手册

  

与BAX13.TR相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
BAX13T26A TI

获取价格

暂无描述
BAX13T26R TI

获取价格

50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAX13T50A TI

获取价格

50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAX13T50R TI

获取价格

50V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35
BAX14 NXP

获取价格

General purpose diode
BAX14 SYNSEMI

获取价格

SWITCHING DIODE
BAX14 EIC

获取价格

Switching Diodes
BAX14113 NXP

获取价格

DIODE 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAX14116 NXP

获取价格

DIODE 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode
BAX14133 NXP

获取价格

DIODE 0.5 A, 40 V, SILICON, SIGNAL DIODE, DO-35, Signal Diode