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BAW79DE6327

更新时间： 2024-11-21 15:28:27

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英飞凌 - INFINEON		二极管
页数	文件大小	规格书
6页	64K
描述
Rectifier Diode, 2 Element, 1A, 400V V(RRM), Silicon

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BAW79DE6327 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	R-PSSO-F3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.25
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	1.6 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
元件数量：	2	端子数量：	3
最高工作温度：	150 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
最大重复峰值反向电压：	400 V	最大反向恢复时间：	1 µs
子类别：	Rectifier Diodes	表面贴装：	YES
端子面层：	MATTE TIN	端子形式：	FLAT
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	40
Base Number Matches：	1

BAW79DE6327 数据手册

BAW78.../BAW79...

Silicon Switching Diodes

• Switching applications

• High breakdown voltage

• Pb-free (RoHS compliant) package

• Qualified according AEC Q101

BAW78D

BAW79D

Type

Package

Configuration

Marking

BAW78D

BAW79D

SOT89

single

common cathode

Maximum Ratings at T = 25°C, unless otherwise specified

Parameter

Symbol

Value

400

Unit

Diode reverse voltage

Peak reverse voltage

Forward current

Peak forward current

Surge forward current, t = 1 µs

Non-repetitive peak surge forward current

Total power dissipation

FSM

tot

BAW78D, T ≤ 125°C

BAW79D, T ≤ 115°C

150

°C

Junction temperature

Storage temperature

-65 ... 150

stg

¹Pb-containing package may be available upon special request

2007-04-20

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BAW79DE6327 替代型号

型号	品牌	替代类型	描述	数据表
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