BAW79B

更新时间： 2024-01-05 01:28:30

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英飞凌 - INFINEON		整流二极管开关
页数	文件大小	规格书
3页	90K
描述
Silicon Switching Diodes (For high-speed switching High breakdown voltage Common cathode)

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BAW79B 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
Reach Compliance Code：	not_compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.10.00.80	风险等级：	5.48
外壳连接：	CATHODE	配置：	COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)：	2 V	JESD-30 代码：	R-PSSO-F3
JESD-609代码：	e3	湿度敏感等级：	1
最大非重复峰值正向电流：	10 A	元件数量：	2
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
最低工作温度：	-65 °C	最大输出电流：	1 A
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
最大功率耗散：	1 W	认证状态：	Not Qualified
最大反向电流：	1 µA	最大反向恢复时间：	1 µs
表面贴装：	YES	端子面层：	MATTE TIN
端子形式：	FLAT	端子位置：	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	Base Number Matches：	1

BAW79B 数据手册

Silicon Switching Diodes

BAW 79 A

… BAW 79 D

● For high-speed switching

● High breakdown voltage

● Common cathode

Package¹⁾

Type

Marking

Ordering Code

(tape and reel)

Pin Configuration

BAW 79 A

BAW 79 B

BAW 79 C

BAW 79 D

Q62702-A781

Q62702-A782

Q62702-A771

Q62702-A733

SOT-89

Maximum Ratings per Diode

Parameter

Symbol

Values

Unit

BAW

400

Reverse voltage

100

200

Peak reverse voltage

Forward current

VRM

200

Peak forward current

Surge forward current

t = 1 µs

Total power dissipation

Ptot

= 115 ˚C

Junction temperature

150

˚C

Storage temperature range Tstg

– 65 … + 150

Thermal Resistance

Junction - ambient²⁾

th JA

th JS

≤ 175

≤ 35

K/W

Junction - soldering point

For detailed information see chapter Package Outlines.

Package mounted on epoxy pcb 40 mm × 40 mm × 1.5 mm/6 cm²Cu.

5.91

Semiconductor Group

12 3

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