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BAV103-TP PDF预览

BAV103-TP

更新时间： 2024-11-06 12:56:39
品牌 Logo 应用领域
美微科 - MCC 信号二极管
页数 文件大小 规格书
4页 750K
描述
Small Signal Diodes

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BAV103-TP 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：MELF
包装说明：MELF-2针数：2
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8541.10.00.70风险等级：6.97
外壳连接：ISOLATED配置：SINGLE
二极管元件材料：SILICON二极管类型：RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：O-LELF-R2JESD-609代码：e3
湿度敏感等级：1元件数量：1
端子数量：2最大输出电流：0.2 A
封装主体材料：GLASS封装形状：ROUND
封装形式：LONG FORM峰值回流温度（摄氏度）：260
最大功率耗散：0.4 W认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：250 V最大反向恢复时间：0.05 µs
表面贴装：YES端子面层：Matte Tin (Sn)
端子形式：WRAP AROUND端子位置：END
处于峰值回流温度下的最长时间：10Base Number Matches：1

BAV103-TP 数据手册

 浏览型号BAV103-TP的Datasheet PDF文件第2页浏览型号BAV103-TP的Datasheet PDF文件第3页浏览型号BAV103-TP的Datasheet PDF文件第4页 
M C C  
BAV100  
THRU  
BAV103  
ꢀꢁꢂꢃꢄꢅꢆꢄꢇꢇꢈꢃꢂꢁꢉꢊꢅꢆomponents  
20736 Marilla Street Chatsworth  
ꢆꢋꢅꢌꢍꢎꢍꢍ  
ꢏꢐꢄꢑꢈꢒꢅꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢎ  
$ꢉ%ꢒꢅ ꢅ ꢅ ꢓꢔꢍꢔ ꢅ!ꢕꢍ"#ꢌꢎꢌ  
TM  
Micro Commercial Components  
Features  
•
Lead Free Finish/RoHS Compliant(Note 1) ("P" Suffix designates  
RoHS Compliant. See ordering information)  
Moisture Sensitivity Level 1  
Silicon Epitaxial Planar Diodes  
These diodes are also available in other case styles including: the DO-35 case  
with the type designations BAV19 to BAV21, the SOD-123 case with the type  
designations BAV19W to BAV21W, the SOT-23 case with the type designations  
BAS19 to BAS21, and the SOD-323 case with type designations BAV19WS to  
BAV21WS.  
·
·
·
Small Signal Diodes  
ꢀ
Maximum Ratings  
MINIMELF(SOD-80C)  
Continuous Reverse  
Voltage  
BAV100  
BAV101  
BAV102  
BAV103  
50V  
V
100V  
150V  
200V  
TA=25OC  
TA=25OC  
R
Cathode Mark  
Repetitive Peak Reverse  
Voltage BAV100  
60V  
120V  
200V  
250V  
BAV101  
BAV102  
BAV103  
VRRM  
C
(1)  
Forward DC Current  
250mA  
TA=25OC  
IF  
B
Rectified Current (Average)  
Half Wave Rectification  
with Resist. Load  
f>50Hz,  
TA=25OC  
I(FAV)  
200mA  
A
Repetitive Peak Forward  
Current  
(1)  
625mA  
f>50Hz, T =25OC  
IFRM  
A
Surge Forward Current  
Power Dissipation  
IFSM  
1.0A  
T<1s, Tj =25OC  
TA=25OC  
DIMENSION  
PTOT  
400mW  
DIM  
INCHES  
MM  
NOTE  
Thermal Resistance  
TA  
375OC/W  
MIN  
MAX  
.146  
.016  
.059  
MIN  
3.30  
0.20  
1.40  
MAX  
3.70  
0.40  
1.50  
Junction to Ambient Air(2)  
A
B
C
.130  
.008  
.055  
Operating and Stora ge  
temperature Range  
-55 to +150OC  
TS, TSTG  
Note: (1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
Electrical Characteristics @ 25°C Unless Otherwise Specified  
Maximum Forward Voltage  
SUGGESTED SOLDER  
PAD LAYOUT  
TA=25OC  
IF = 100mA  
VF  
1.00V  
0.105  
IF= 200mA  
1.25V  
Maximum Leakage current  
BAV100  
BAV100  
BAV101  
BAV101  
BAV102  
BAV102  
BAV103  
BAV103  
100nA  
15uA  
100nA  
15uA  
100nA  
15uA  
100nA  
15uA  
VR=50V  
VR=50V, Tj=100OC  
VR=100V  
0.075”  
IR  
VR=100V, Tj=100OC  
VR=150V  
VR=150V, Tj=100OC  
VR=200V  
0.030”  
VR=200V, Tj=100OC  
Typital Capacitance  
CTOT  
trr  
1.5pF  
VR=0V, f=1.0MHz  
Maximum Reverse recovery  
time  
IF=30mA, I =30mA  
R
50ns  
I =3.0mA,  
rr  
RL=100 OHM  
Typical Dynamic Forward  
Resistance  
RF  
5.0 OHM  
IF=10mA  
Notes:1. Lead in Glass Exemption Applied, see EU Directive Annex 5.  
2. Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature  
www.mccsemi.com  
Revision: A  
2011/01/01  
1 of 4  
1234

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BAV103-TP 替代型号

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